Ab initio расчёт магнитного взаимодействия краевой дислокации и примеси кислорода в кремнии
И. В. Плющай1, А. И. Плющай2, В. А. Макара1
1Киевский национальный университет имени Тараса Шевченка, ул. Владимирская, 64, 01601 Киев, Украина
2Институт металлофизики им. Г.В. Курдюмова НАН Украины, бульв. Академика Вернадского, 36, 03680, ГСП, Киев-142, Украина
Получена: 21.11.2013. Скачать: PDF
Методом функционала плотности в обобщённом градиентном приближении рассчитаны электронный спектр краевой дислокации в кристаллическом кремнии и электронный спектр сверхъячейки из 64 атомов Si, содержащей примесный атом кислорода в междоузельном положении. Обсуждаются изменения плотности электронных состояний сверхъячейки, содержащей дефект, и возможность формирования магнитного порядка. Спин-поляризованный расчёт подтвердил возможность формирования магнитного порядка из-за рассмотренных дефектов с некомпенсированными магнитными моментами: 1,25μB на сверхъячейку, содержащую два отрезка дислокации единичной длины, или 1,75μB на примесь кислорода. Теоретически показана возможность формирования магнитных моментов на оборванных связях в ядре краевой дислокации и примесях кислорода в кремнии, что может приводить к возникновению дополнительного магнитного взаимодействия между дислокацией и примесью кислорода в кремнии.
Ключевые слова: электронная структура, магнитное упорядочение, краевая дислокация, примесь кислорода, кремний.
URL: http://mfint.imp.kiev.ua/ru/abstract/v36/i05/0589.html
PACS: 61.72.Lk, 71.15.Mb, 71.20.Mq, 71.55.Cn, 75.10.Lp