Некоторые соображения об образовании дефектов в кристаллах на атомном уровне
В. И. Засимчук, Е. Э. Засимчук
Институт металлофизики им. Г. В. Курдюмова НАН Украины, бульв. Академика Вернадского, 36, 03142 Киев, Украина
Получена: 19.12.2014; окончательный вариант - 18.05.2018. Скачать: PDF
Рассмотрены колебания и взаимодействие двух положительных ионов, погружённых в электронный газ, в том числе и в областях, далёких от линейного поведения. Показано, что, для того, чтобы движение ионов было неустойчивым, необходимо, чтобы они хоть иногда в процессе своих колебаний отходили друг от друга на расстояния, больше 1,5$\alpha$. Для одновалентных металлов оценены колебательная энергия иона, необходимая, чтобы это произошло, а также вероятность появления таких ионов. Полученные результаты обобщены на металлический образец. Рассмотрен случай большого числа «неустойчивых ионов».
Ключевые слова: гидродинамический канал, дефекты, устойчивость, энергия собственных колебаний ионов, предел текучести, активный ион, энтропия, критический размер.
URL: http://mfint.imp.kiev.ua/ru/abstract/v40/i06/0845.html
PACS: 05.45.-a, 05.70.-a, 61.72.Bb, 62.20.fq, 62.25.Mn, 81.40.Lm, 83.50.Ha