Влияние температуры на отрицательную дифференциальную проводимость $N$-типа в вольт-амперных характеристиках металлических гетероструктур со сверхпроводящими электродами
А. П. Шаповалов$^{1,2}$, Е. С. Житлухина$^{3,4}$
$^{1}$Институт металлофизики им. Г. В. Курдюмова НАН Украины, бульв. Академика Вернадского, 36, 03142 Киев, Украина
$^{2}$Институт проблем материаловедения им. И. Н. Францевича НАН Украины, ул. Академика Кржижановского, 3, 03142 Киев, Украина
$^{3}$Донецкий физико-технический институт им. А. А. Галкина НАН Украины, просп. Науки, 46, 03028 Киев, Украина
$^{4}$Донецкий национальный университет имени Васыля Стуса, ул. 600-летия, 21, 21021 Винница, Украина
Получена: 24.03.2020. Скачать: PDF
Туннельные двухуровневые системы определяют низкоэнергетические свойства аморфных твёрдых тел, в частности, эффект декогеренции в квантовых нанорозмерных устройствах на основе сверхпроводящих металлов. Основные характеристики двухуровневых систем, как правило, хорошо описываются стандартной туннельной моделью. В данной работе мы используем эту модель для описания температурного поведения вольт-амперных характеристик гибридных структур, состоящих из сверхпроводящих плёнок с неупорядоченными кремниевыми прослойками, допированными наноразмерными металлическими гранулами из вольфрама. Результаты расчётов хорошо согласуются с нашими экспериментальными данными для переходов MoRe/Si(W)/MoRe.
Ключевые слова: трёхслойные наноструктуры, сверхпроводящие электроды, допированные кремниевые прослойки, двухуровневые туннельные системы, отрицательная дифференциальная проводимость.
URL: http://mfint.imp.kiev.ua/ru/abstract/v42/i09/1187.html
PACS: 72.10.Fk, 73.63.-b, 74.78.Db, 85.30.Mn