Предложена микроскопическая модель подавления температурного распределения электронов в резонансных туннельных структурах с нелинейностью, обусловленной электрон-фононным взаимодействием в предположении наличия вырожденных уровней в квантовой яме. Электрон-фононное взаимодействие снимает вырождение и приводит к эффективному притяжению с понижением энергетического уровня. Мы отмечаем проявление в этой модели эффекта Фано, связанного с многоканальным туннелированием. В качестве примера рассмотрен эффект подавления теплового разброса электронов в нанотранзисторе с металлической квантовой точкой. Выявлено довольно значительное (порядка 200 К) нагревание квантовой точки, вызванное прохождением тока через нанотранзистор. Несмотря на нагревание, эффект фильтрации холодных электронов отчетливо наблюдается. Теория и эксперимент находятся в хорошем согласии.