Влияние индуцированных подложкой напряжений на электрические и магнитные свойства ультратонких плёнок La$_{0,6}$Sr$_{0,2}$Mn$_{1,2}$O$_{3}$/LaAlO$

Выпуски МФиНТ » Том 36, выпуск 1

Влияние индуцированных подложкой напряжений на электрические и магнитные свойства ультратонких плёнок La $_{0,6}$ Sr $_{0,2}$ Mn $_{1,2}$ O $_{3}$ /LaAlO $_{3}$

Т. И. Полек $^{1}$ , Д. И. Подъяловский $^{1}$ , А. И. Товстолыткин $^{1}$ , А. Н. Погорелый $^{1}$ , А. В. Пащенко $^{2}$

$^{1}$ Институт магнетизма НАН и МОН Украины, бульв. Академика Вернадского, 36б, 03680, ГСП, Киев-142, Украина
$^{2}$ Донецкий физико-технический институт им. А.А. Галкина НАН Украины, ул. Р. Люксембург, 72, 83114 Донецк, Украина

Получена: 29.11.2013. Скачать: PDF

Исследованы магниторезистивные и резонансные свойства ультратонких плёнок (2—12 нм) лантан-стронциевых манганитов с избытком марганца La $_{0,6}$ Sr $_{0,2}$ Mn $_{1,2}$ O $_{3}$ , изготовленных методом магнетронного напыления на монокристаллическую подложку LaAlO $_{3}$ . Изучена толщинная эволюция магнитных свойств плёнок. Методом электронного спинового резонанса показано, что плёнки ферромагнитны вплоть до толщины 4 нм; при этом сохраняется достаточно высокая температура Кюри $Т_{С}$ . На основе анализа магниторезистивных и резонансных данных сделан вывод о высокой степени неоднородности плёнок, толщина которых меньше или равна 4 нм.

Ключевые слова: замещённые манганиты, переход металл—диэлектрик, электронный спиновой резонанс, магнетосопротивление.

URL: http://mfint.imp.kiev.ua/ru/abstract/v36/i01/0063.html

PACS: 71.30.+h, 73.50.Jt, 75.47.Gk, 75.47.Lx, 76.30.-v

ЦИТИРОВАННАЯ ЛИТЕРАТУРА

K. Dörr, J. Phys. D, 39, No. 7: R125 (2006). Crossref
E. Dagotto, T. Hotta, and A. Moreo, Phys. Rep., 344, No. 1: 1 (2001). Crossref
M. K. Khodzitsky, T. V. Kalmykova, S. I. Tarapov, D. P. Belozorov, A. M. Pogorily, A. I. Tovstolytkin, A. G. Belous, and S. A. Solopan, Appl. Phys. Lett., 95, No. 8: 082903 (2009). Crossref
X. Moya, L. E. Hueso, F. Maccherozzi, A. I. Tovstolytkin, D. I. Podyalovskii, C. Ducati, L. Phillips, M. Ghidini, O. Hovorka, A. Berger, M. E. Vickers, E. Defaÿ, S. S. Dhesi, and N. D. Mathur, Nature Mater., 12, No. 1: 52 (2013). Crossref
В. М. Локтев, Ю. Г. Погорелов, Физика низких температур, 26, № 1: 231 (2000).
S. Jin, T. H. Tiefel, M. McCormack, R. A. Fastnacht, R. Ramesh, and L. H. Chen, Science, 264, No. 5157: 413 (1994). Crossref
A. I. Tovstolytkin, A. N. Pogorily, A. I. Matviyenko, A. Ya. Vovk, and Zh. Wang, J. Appl. Phys., 98, No. 4: 043902 (2005). Crossref
J. Z. Sun, D. W. Abraham, R. A. Rao, and C. B. Eom, J. Appl. Phys. Lett., 74, No. 20: 3017 (1999). Crossref
J. Dvorak, Y. U. Idzerda, S. B. Ogale, S. Shinde, T. Wu, T. Venkatesan, and R. Ramesh, J. Appl. Phys., 97, No. 10: 10C102 (2005).
H. W. Zandbergen, S. Freisem, T. Nojima, and J. Aarts, Phys. Rev. B, 60, No. 14: 10259 (1999). Crossref
A. Biswas, M. Rajeswari, R. C. Srivastava, T. Venkatesan, R. L. Greene, Q. Lu, and A. J. Millis, Phys. Rev. B, 63, No. 18: 184424 (2001). Crossref
Yu. A. Boikov, R. Gunnarsson, and T. Claeson, J. Appl. Phys., 96: 435 (2004). Crossref
R. P. Borges,W. Guichard, J. G. Lunney, J. M. D. Coey, and F. Ott, J. Appl. Phys, 89, No. 7: 3868 (2001). Crossref
M. Angeloni, G. Balestrino, N. G. Boggio, P. G. Medaglia, P. Orgiani, and A. Tebano, J. Appl. Phys., 96, No. 11: 6387 (2004). Crossref
M. Huijben, L. W. Martin, Y.-H. Chu, M. B. Holcomb, P. Yu, G. Rijnders, D. H. A. Blank, and R. Ramesh, Phys. Rev. B, 78, No. 9: 094413 (2008). Crossref
A. J. Millis, T. Darling, and A. Migliori, J. Appl. Phys., 83, No. 3: 1588 (1998). Crossref
L. Bray, Phys. Rev. B, 75, No. 10: 104423 (2007). Crossref
A. de Andres, J. Rubio, G. Casto, S. Taboada, J. L. Martines, and J. M. Colino, Appl. Phys. Lett., 83, No. 4: 713 (2003). Crossref
I. C. Infante, F. Sánchez, J. Fontcuberta, M. Wojcik, E. Jedryka, S. Estradé, and J. P. Espinós, Phys. Rev. B, 76, No. 22: 224415 (2007). Crossref
N. M. Nemes, M. Garcia-Hernandez, Z. Szatmari, T. Feher, F. Simon, C. Visani, and J. Santamaria, IEEE Trans. Magn., 44, No. 11: 2926 (2008). Crossref
A. I. Tovstolytkin, A. I. Matviyenko, V. M. Tsmots, L. I. Pankiv, and I. S. Pankiv, Materialwissenschaft und Werkstofftechnik, 42, No. 2: 151 (2011). Crossref
A. I. Tovstolytkin, V. V. Dzyublyuk, D. I. Podyalovskii, X. Moya, C. Israel, D. Sánchez, and N. D. Mathur, Phys. Rev. B, 83, No. 18: 184404 (2011). Crossref
A. I. Tovstolytkin, A. M. Pogorily, Y. I. Dzhezherya, V. V. Dzyublyuk, and D. J. Mapps, J. Phys.: Condens. Matter, 21, No. 38: 386003 (2009). Crossref
G. A. Ovsyannikov, A. M. Petrzhik, I. V. Borisenko, A. A. Klimov, Y. A. Ignatov, V. V. Demidov, and S. A. Nikitov, J. Exp. Theor. Phys., 108, No. 1: 48 (2009). Crossref
В. Т. Довгий, А. И. Линник, В. П. Пащенко, В. Н. Деркаченко, В. К. Прокопенко, В. А. Турченко, Н. В. Давыдейко, Физика низких температур, 29, № 4: 380 (2003).
В. П. Пащенко, А. А. Шемяков, И. В. Жихарев и др., Металлофиз. новейшие технол., 27, № 12: 1567 (2005).
А. Г. Белоус, О. И. Вьюнов, Е. В. Пашкова, О. З. Янчевский, А. И. Товстолыткин, А. Н. Погорелый, Неорг. матер., 39, № 2: 212 (2003). Crossref
A. I. Tovstolytkin, A. N. Pogorily, S. V. Cherepov, G. V. Bondarkova, and V. I. Silantiev, Металлофиз. новейшие технол., 22, № 11: 23 (2000).
A. I. Tovstolytkin, T. I. Polek, A. I. Matviyenko, M. I. Zakharenko, M. P. Semen’ko, and A. V. Pashchenko, Solid State Phenom., 200: 239 (2013). Crossref
P. Schiffer, A. P. Ramirez, W. Bao, and S.-W. Cheong, Phys. Rev. Lett., 75, No. 18: 3336 (1995). Crossref
V. O. Golub, V. V. Dzyublyuk, A. I. Tovstolytkin, S. K. Arora, R. Ramos, R. G. Sofin, and I. V. Shvets, J. Appl. Phys., 107, No. 9: 09B108 (2010). Crossref
C. Kittel, Phys. Rev., 73, No. 2: 155 (1948). Crossref
M. Ziese, H. C. Semmelhack, K. H. Han, S. P. Sena, and H. J. Blythe, J. Appl. Phys., 91, No. 12: 9930 (2002). Crossref