Вплив індукованих підкладкою напружень на електричні та магнітні властивості ультратонких плівок La$_{0,6}$Sr$_{0,2}$Mn$_{1,2}$O$_{3}$/LaAlO$_{3}$

Т. І. Полек$^{1}$, Д. й. Под’яловський$^{1}$, О. І. Товстолиткін$^{1}$, А. М. Погорілий$^{1}$, О. В. Пащенко$^{2}$

$^{1}$Інститут магнетизму НАН та МОН України, бульв. Академіка Вернадського, 36б, 03680, МСП, Київ-142, Україна
$^{2}$Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України, вул. Р. Люксембург, 72, 83114 Донецьк, Україна

Отримано: 29.11.2013. Завантажити: PDF

Досліджено магніторезистивні та резонансні властивості ультратонких плівок (2—12 нм) лантан-стронцієвих манганітів з надлишком мангану La$_{0,6}$Sr$_{0,2}$Mn$_{1,2}$O$_{3}$, виготовлених методом магнетронного напорошення на монокристалічній підкладці LaAlO$_{3}$. Вивчено товщинну еволюцію магнітних властивостей плівок. Методом електронного спінового резонансу показано, що плівки є феромагнітними аж до товщини 4 нм; при цьому зберігається досить висока температура Кюрі $Т_{С}$. На основі аналізу магніторезистивних та резонансних даних зроблено висновок про високий ступінь неоднорідності плівок, товщина яких є меншою або дорівнює 4 нм.

Ключові слова: заміщені манганіти, перехід метал—діелектрик, електронний спіновий резонанс, магнітоопір.

URL: http://mfint.imp.kiev.ua/ua/abstract/v36/i01/0063.html

PACS: 71.30.+h, 73.50.Jt, 75.47.Gk, 75.47.Lx, 76.30.-v


ЦИТОВАНА ЛІТЕРАТУРА
  1. K. Dörr, J. Phys. D, 39, No. 7: R125 (2006). Crossref
  2. E. Dagotto, T. Hotta, and A. Moreo, Phys. Rep., 344, No. 1: 1 (2001). Crossref
  3. M. K. Khodzitsky, T. V. Kalmykova, S. I. Tarapov, D. P. Belozorov, A. M. Pogorily, A. I. Tovstolytkin, A. G. Belous, and S. A. Solopan, Appl. Phys. Lett., 95, No. 8: 082903 (2009). Crossref
  4. X. Moya, L. E. Hueso, F. Maccherozzi, A. I. Tovstolytkin, D. I. Podyalovskii, C. Ducati, L. Phillips, M. Ghidini, O. Hovorka, A. Berger, M. E. Vickers, E. Defaÿ, S. S. Dhesi, and N. D. Mathur, Nature Mater., 12, No. 1: 52 (2013). Crossref
  5. В. М. Локтев, Ю. Г. Погорелов, Физика низких температур, 26, № 1: 231 (2000).
  6. S. Jin, T. H. Tiefel, M. McCormack, R. A. Fastnacht, R. Ramesh, and L. H. Chen, Science, 264, No. 5157: 413 (1994). Crossref
  7. A. I. Tovstolytkin, A. N. Pogorily, A. I. Matviyenko, A. Ya. Vovk, and Zh. Wang, J. Appl. Phys., 98, No. 4: 043902 (2005). Crossref
  8. J. Z. Sun, D. W. Abraham, R. A. Rao, and C. B. Eom, J. Appl. Phys. Lett., 74, No. 20: 3017 (1999). Crossref
  9. J. Dvorak, Y. U. Idzerda, S. B. Ogale, S. Shinde, T. Wu, T. Venkatesan, and R. Ramesh, J. Appl. Phys., 97, No. 10: 10C102 (2005).
  10. H. W. Zandbergen, S. Freisem, T. Nojima, and J. Aarts, Phys. Rev. B, 60, No. 14: 10259 (1999). Crossref
  11. A. Biswas, M. Rajeswari, R. C. Srivastava, T. Venkatesan, R. L. Greene, Q. Lu, and A. J. Millis, Phys. Rev. B, 63, No. 18: 184424 (2001). Crossref
  12. Yu. A. Boikov, R. Gunnarsson, and T. Claeson, J. Appl. Phys., 96: 435 (2004). Crossref
  13. R. P. Borges,W. Guichard, J. G. Lunney, J. M. D. Coey, and F. Ott, J. Appl. Phys, 89, No. 7: 3868 (2001). Crossref
  14. M. Angeloni, G. Balestrino, N. G. Boggio, P. G. Medaglia, P. Orgiani, and A. Tebano, J. Appl. Phys., 96, No. 11: 6387 (2004). Crossref
  15. M. Huijben, L. W. Martin, Y.-H. Chu, M. B. Holcomb, P. Yu, G. Rijnders, D. H. A. Blank, and R. Ramesh, Phys. Rev. B, 78, No. 9: 094413 (2008). Crossref
  16. A. J. Millis, T. Darling, and A. Migliori, J. Appl. Phys., 83, No. 3: 1588 (1998). Crossref
  17. L. Bray, Phys. Rev. B, 75, No. 10: 104423 (2007). Crossref
  18. A. de Andres, J. Rubio, G. Casto, S. Taboada, J. L. Martines, and J. M. Colino, Appl. Phys. Lett., 83, No. 4: 713 (2003). Crossref
  19. I. C. Infante, F. Sánchez, J. Fontcuberta, M. Wojcik, E. Jedryka, S. Estradé, and J. P. Espinós, Phys. Rev. B, 76, No. 22: 224415 (2007). Crossref
  20. N. M. Nemes, M. Garcia-Hernandez, Z. Szatmari, T. Feher, F. Simon, C. Visani, and J. Santamaria, IEEE Trans. Magn., 44, No. 11: 2926 (2008). Crossref
  21. A. I. Tovstolytkin, A. I. Matviyenko, V. M. Tsmots, L. I. Pankiv, and I. S. Pankiv, Materialwissenschaft und Werkstofftechnik, 42, No. 2: 151 (2011). Crossref
  22. A. I. Tovstolytkin, V. V. Dzyublyuk, D. I. Podyalovskii, X. Moya, C. Israel, D. Sánchez, and N. D. Mathur, Phys. Rev. B, 83, No. 18: 184404 (2011). Crossref
  23. A. I. Tovstolytkin, A. M. Pogorily, Y. I. Dzhezherya, V. V. Dzyublyuk, and D. J. Mapps, J. Phys.: Condens. Matter, 21, No. 38: 386003 (2009). Crossref
  24. G. A. Ovsyannikov, A. M. Petrzhik, I. V. Borisenko, A. A. Klimov, Y. A. Ignatov, V. V. Demidov, and S. A. Nikitov, J. Exp. Theor. Phys., 108, No. 1: 48 (2009). Crossref
  25. В. Т. Довгий, А. И. Линник, В. П. Пащенко, В. Н. Деркаченко, В. К. Прокопенко, В. А. Турченко, Н. В. Давыдейко, Физика низких температур, 29, № 4: 380 (2003).
  26. В. П. Пащенко, А. А. Шемяков, И. В. Жихарев и др., Металлофиз. новейшие технол., 27, № 12: 1567 (2005).
  27. А. Г. Белоус, О. И. Вьюнов, Е. В. Пашкова, О. З. Янчевский, А. И. Товстолыткин, А. Н. Погорелый, Неорг. матер., 39, № 2: 212 (2003). Crossref
  28. A. I. Tovstolytkin, A. N. Pogorily, S. V. Cherepov, G. V. Bondarkova, and V. I. Silantiev, Металлофиз. новейшие технол., 22, № 11: 23 (2000).
  29. A. I. Tovstolytkin, T. I. Polek, A. I. Matviyenko, M. I. Zakharenko, M. P. Semen’ko, and A. V. Pashchenko, Solid State Phenom., 200: 239 (2013). Crossref
  30. P. Schiffer, A. P. Ramirez, W. Bao, and S.-W. Cheong, Phys. Rev. Lett., 75, No. 18: 3336 (1995). Crossref
  31. V. O. Golub, V. V. Dzyublyuk, A. I. Tovstolytkin, S. K. Arora, R. Ramos, R. G. Sofin, and I. V. Shvets, J. Appl. Phys., 107, No. 9: 09B108 (2010). Crossref
  32. C. Kittel, Phys. Rev., 73, No. 2: 155 (1948). Crossref
  33. M. Ziese, H. C. Semmelhack, K. H. Han, S. P. Sena, and H. J. Blythe, J. Appl. Phys., 91, No. 12: 9930 (2002). Crossref