Эллипсометрические свойства тонких плёнок молибдена при возбуждении поверхностных поляритонов

В. В. Лендел, О. В. Ломакина, Л. Ю. Мельниченко, И. А. Шайкевич

Киевский национальный университет имени Тараса Шевченка, ул. Владимирская, 64, 01601 Киев, Украина

Получена: 19.09.2013; окончательный вариант - 14.01.2014. Скачать: PDF

Экспериментально измерены с помощью метода Битти и теоретически вычислены в рамках трёхслойной модели тонкой плёнки зависимости эллипсометрических параметров от угла падения света на плёнку для трёх тонких плёнок молибдена при возбуждении поверхностных поляритонов. Измеряемыми эллипсометрическими параметрами были азимут восстановленной линейной поляризации и сдвиг фаз между $p$- и $s$-компонентами отражённого света. Теоретические расчёты были проведены по рекуррентным формулам Эйри. Проведённые исследования показали, что экспериментальные и теоретические зависимости эллипсометрических параметров от угла падения имеют идентичный ход, но между ними есть количественные расхождения. Последнее объясняется тем, что в использованной теоретической трёхслойной модели тонкой плёнки Мо границы между слоями считались идеально плоскими. В то же время реальные границы раздела – шероховатые и неоднородные. Полученные результаты показали, что средний слой плёнки является металлическим молибденом, а верхний и нижний слои являются окислами молибдена.

Ключевые слова: поверхностные поляритоны, тонкие плёнки, окисел, трехслойная модель, эллипсометрия.

URL: http://mfint.imp.kiev.ua/ru/abstract/v36/i02/0205.html

PACS: 07.60.Fs, 42.79.Wc, 67.80.dm, 73.20.Mf


ЦИТИРОВАННАЯ ЛИТЕРАТУРА
  1. М. Борн, Э. Вольф, Основы оптики (Москва: Наука: 1970).
  2. Поверхностные поляритоны (Ред. В. M. Агранович, Д. Л. Миллс) (Москва: Наука: 1985).
  3. Н. Л. Дмитрук, В. Г. Литовченко, В. Л. Стрижевский, Поверхностные поляритоны в полупроводниках и диэлектриках (Киев: Наукова думка: 1989).
  4. L. Yu. Melnichenko, Ya. A. Shybiko, and I. A. Shaykevich, Functional Mater., 13, No. 1: 161 (2006).
  5. В. В. Лендел, O. В. Ломакіна, Л. Ю. Мельниченко, I. A. Шайкевич, Металлофиз. новейшие технол., 32, № 8: 1013 (2010).
  6. V. V. Lendel, O. V. Lomakina, L. Yu. Melnichenko, and I. A. Shaykevich, Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 13, No. 3: 231 (2010).