Еліпсометричні властивості тонких плівок молібдену при збудженні поверхневих поляритонів

В. В. Лендел, O. В. Ломакіна, Л. Ю. Мельниченко, І. А. Шайкевич

Київський національний університет імені Тараса Шевченка, вул. Володимирська, 64, 01601 Київ, Україна

Отримано: 19.09.2013; остаточний варіант - 14.01.2014. Завантажити: PDF

Експериментально поміряно за допомогою метода Бітті і теоретично обчислено згідно з тришаровою моделлю тонкої плівки залежності еліпсометричних параметрів від кута падіння світла на плівку для трьох тонких плівок молібдену при збудженні поверхневих поляритонів. Вимірюваними еліпсометричними параметрами були азимут відновленої лінійної поляризації і зсув фаз між $p$- та $s$-компонентами відбитого світла. Теоретичні розрахунки були виконані за допомогою рекурентних формул Ейрі. Проведені досліди показали, що експериментальні і теоретичні залежності еліпсометричних параметрів від кута падіння мають ідентичний хід, але між ними є кількісні розходження. Останнє пояснюється тим, що у використаній теоретичній тришаровій моделі тонкої плівки Мо межі між шарами вважалися ідеально пласкими. В той же час реальні межі поділу є шерсткими і неоднорідними. Одержані результати показали, що середній шар плівки є металічним молібденом, а верхній і нижній шари є окислами молібдену.

Ключові слова: поверхневі поляритони, тонкі плівки, oксид, тришарова модель, еліпсометрія.

URL: http://mfint.imp.kiev.ua/ua/abstract/v36/i02/0205.html

PACS: 07.60.Fs, 42.79.Wc, 67.80.dm, 73.20.Mf


ЦИТОВАНА ЛІТЕРАТУРА
  1. М. Борн, Э. Вольф, Основы оптики (Москва: Наука: 1970).
  2. Поверхностные поляритоны (Ред. В. M. Агранович, Д. Л. Миллс) (Москва: Наука: 1985).
  3. Н. Л. Дмитрук, В. Г. Литовченко, В. Л. Стрижевский, Поверхностные поляритоны в полупроводниках и диэлектриках (Киев: Наукова думка: 1989).
  4. L. Yu. Melnichenko, Ya. A. Shybiko, and I. A. Shaykevich, Functional Mater., 13, No. 1: 161 (2006).
  5. В. В. Лендел, O. В. Ломакіна, Л. Ю. Мельниченко, I. A. Шайкевич, Металлофиз. новейшие технол., 32, № 8: 1013 (2010).
  6. V. V. Lendel, O. V. Lomakina, L. Yu. Melnichenko, and I. A. Shaykevich, Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 13, No. 3: 231 (2010).