Низкотемпературный синтез и структура гибридных наноматериалов Ni@C, полученных методом реактивного магнетронного распыления

М. И. Мохненко, В. Н. Варюхин, А. М. Прудников, Р. В. Шалаев

Донецкий физико-технический институт им. А.А. Галкина НАН Украины, просп. Науки, 46, 03028 Киев, Украина

Получена: 24.03.2015. Скачать: PDF

Методом магнетронного распыления получены гибридные наноплёнки, состоящие из частиц никеля, инкапсулированных в углеродную оболочку (Ni@C). Благодаря определённым условиям напыления (низкая температура, высокое давление) достигнут кластерный характер формирования плёнок. Исследованы две группы образцов с различными концентрационными соотношениями C:Ni. Определено, что кластеры I-ой группы образцов (C:Ni = 60:40) являются аморфными и только при определённой критической температуре формируют кристаллическую структуру, тогда как кластеры II-ой группы образцов (C:Ni = 30:70) образуют кристаллическую структуру уже в плазме. Рассмотрен характер формирования нанокомпозитных плёнок при различных концентрациях углерода и температурах подложки.

Ключевые слова: нанокластеры, карбид никеля, гибридные наноматериалы, магнетронное распыление.

URL: http://mfint.imp.kiev.ua/ru/abstract/v37/i06/0741.html

PACS: 52.40.Hf, 61.05.cp, 61.46.Bc, 68.37.Hk, 68.37.Ps, 81.07.Pr, 81.15.Cd


ЦИТИРОВАННАЯ ЛИТЕРАТУРА
  1. S. Asahina, M. Suga, H. Takahashi, H. Yo. Jeong, C. Galeano, F. Schüth, and O. Terasaki, Appl. Mater., 2: 113317-7 (2014). Crossref
  2. D. A. Gуmez-Gualdrуn, J. M. Beetge, and P. B. Balbuena, J. Phys. Chem. C, 117, No. 23: 12061 (2013). Crossref
  3. D. S. Jacob, I. Genish, L. Klein, and A. Gedanken, J. Phys. Chem. B, 110, No. 36: 17711 (2006). Crossref
  4. D. Cheng, W. Wang, and S. Huang, J. Phys.: Condens. Matter, 19: 356217 (2007). Crossref
  5. V. Sunny, D. S. Kumar, Ya. Yoshida, M. Makarewicz, W. Tabis, and M. R. Anantharaman, Carbon, 48: 1643 (2010). Crossref
  6. A. A. El Mel, E. Gautron, B. Angleraud, A. Granier, and P. Y. Tessier, Carbon, 49: 4595 (2011). Crossref
  7. V. Melechko, V. I. Merkulov, T. E. McKnight, M. A. Guillorn, K. L. Klein, D. H. Lowndes, and M. L. Simpson, J. Appl. Phys., 97: 041301-39 (2005). Crossref
  8. R. Vajtai, B. Wei, Z. Zhang, Y. Jung, G. Ramanath, and P. Ajayan, Smart Mater. Struct., 11, No. 5: 691 (2002). Crossref
  9. S. Sacanna, L. Rossi, and D. J. Pine, J. Am. Chem. Soc., 134: 6112 (2012). Crossref
  10. Gy. J. Kovács, A. Koós, G. Bertoni, G. Sáfrán, O. Geszti, V. Serin, C. Colliex, and G. Radnуczi, J. Appl. Phys., 98: 034313 (2005). Crossref
  11. V. I. Merkulov, A. V. Melechko, M. A. Guillorn, D. H. Lowndes, and M. L. Simpson, Appl. Phys. Lett., 80: 476 (2002). Crossref
  12. D. Navas, M. Hernandez-Velez, M. Vazquez, W. Lee, and K. Nielsch, Appl. Phys. Lett., 90: 192501 (2007). Crossref
  13. G. Rossi, A. Rapallo, C. Mottet, A. Fortunelli, F. Baletto, and R. Ferrando, Phys. Rev. Lett., 3, No. 10: 105503-4 (2004). Crossref
  14. E. P. Yelsukov, G. A. Dorofeev, A. V. Zagainov, N. F. Vildanov, and A. N. Maratkanova, Mater. Sci. Eng. A, 369: 16 (2004). Crossref
  15. N. Grobert, M. Terrones, O. J. Osborne, H. Terrones, W. K. Hsu, S. Trasobares, Y. Q. Zhu, J. P. Hare, H. W. Kroto, and D. R. M. Walton, Appl. Phys. A, 67: 595 (1998). Crossref
  16. P. Kashtanov, B. Smirnov, and R. Hippler, Phys. Usp., 50: 455 (2007). Crossref
  17. A. I. Linnik, A. M. Prudnikov, R. V. Shalaev, V. N. Varyukhin, S. A. Kostyrya, and V. V. Burkhovetski, Techn. Phys. Lett., 38: 499 (2012). Crossref