Processing math: 53%

Исследование методами сканирующей туннельной микроскопии/спектроскопии и дифракции медленных электронов поверхностей сколов слоистых кристаллов GaTe

П. В. Галиий1, Т. Н. Ненчук1, А. Цижевский2, П. Мазур2, С. Зубер2, И. Р. Яровец2

1Львовский национальный университет имени Ивана Франко, ул. Университетская, 1, 79000 Львов, Украина
2Университет Вроцлава, Институт экспериментальной физики, пл. Макса Борна, 9, 50-204 Вроцлав, Польша

Получена: 17.03.2015. Скачать: PDF

С помощью комплекса методов сканирующей туннельной микроскопии и спектроскопии (СТМ/СТС), а также дифракции медленных электронов (ДМЭ) исследована структура поверхностей скалывания кристаллов GaTe. Установлено существование двух различных структур на поверхности скалывания кристалла: гексагональной в макромасштабе и моноклинной, которая случайным образом распределена по поверхности в наномасштабе. Параметры гексагональной решётки a = b \cong 4,08 Å, c \cong 16 Å, полученные с помощью СТМ, хорошо согласуются с данными для объёма кристалла, а также с параметрами a, b для поверхности кристалла, полученными с использованием ДМЭ. Параметры моноклинной решётки a \cong 24 Å, b \cong 4 Å, c \cong 10 Å – такие же, как и в одной из известных моноклинных структурных модификаций. Согласно результатам, полученным с помощью ДМЭ и СТС, установлено, что поверхность GaTe не является плоской и характеризуется наличием хорошо развитой ступенчатой структуры, которая образуется в результате скалывания кристалла. Сделано заключение о том, что возможность локальной в наномасштабе реконструкции базовой гексагональной структуры в моноклинную связана с количеством поверхностных дефектов, таких, как случайно расположенные ступеньки с высотой, которая равняется толщине одного пакета Te—Ga—Ga—Te.

Ключевые слова: теллурид галия, слоистый кристалл, сканирующая туннельная микроскопия, сканирующая туннельная спектроскопия, дифракция медленных электронов.

URL: http://mfint.imp.kiev.ua/ru/abstract/v37/i06/0789.html

PACS: 07.79.Cz, 61.05.jh, 68.35.bg, 68.37.Ef, 68.47.Fg, 71.20.Nr, 73.20.At


ЦИТИРОВАННАЯ ЛИТЕРАТУРА
  1. S. A. Semiletov and V. A. Vlasov, Sov. Phys. Crystallogr., 8: 704 (1964).
  2. E. G. Gillan and A. R. Barron, Chem. Mater., 9: 3037 (1997). Crossref
  3. N. N. Kolesnikov, E. B. Borisenko, D. N. Borisenko, and A. V. Timonina, J. Cryst. Growth, 365: 59 (2013). Crossref
  4. V. Grasso and G. Mondio, Electronic Structure and Electronic Transitions in Layered Materials (Ed. V. Grasso) (Dordrecht: D. Reidel Publishing Company: 1986), p. 173. Crossref
  5. M. Julien-Pouzol, S. Jaulmes, M. Guittard, and F. Alparini, Acta Crystallogr. B, 35: 2848 (1979). Crossref
  6. O. A. Balitskii, B. Jaeckel, and W. Jaegermann, Phys. Lett. A, 372: 3303 (2008). Crossref
  7. I. Horcas, R. Fernandez, J. M. Gomez-Rodríguez, J. Colchero, J. Gomez-Herrero, and A. M. Baro, Rev. Sci. Instrum., 78: 013705 (2007). Crossref
  8. A. Aydinli, N. M. Gasanly, A. Uka, and H. Efeoglu, Cryst. Res. Technol., 37: 1303 (2002). Crossref
  9. P. M. Reshmi, A. G. Kunjomana, K. A. Chandrasekharan, M. Meena, and C. K. Mahadevan, Int. J. Soft. Comput. Eng., 1, No. 5: 228 (2011).