Структурные, электрические и магниторезистивные свойства замещённых стронцием манганитов лантана
Т. И. Полек$^{1}$, А. И. Товстолыткин$^{1}$, С. А. Солопан$^{2}$, А. Г. Белоус$^{2}$, С. В. Недух$^{3}$, С. И. Тарапов$^{3}$
$^{1}$Институт магнетизма НАН и МОН Украины, бульв. Академика Вернадского, 36б, 03142 Киев, Украина
$^{2}$Институт общей и неорганической химии им. В.И. Вернадского НАН Украины, просп. Академика Палладина, 32/34, 03680 Киев, Украина
$^{3}$Институт радиофизики и электроники им. А.Я. Усикова НАН Украины, ул. Академика Проскуры, 12, 61085 Харьков, Украина
Получена: 25.06.2015; окончательный вариант - 17.08.2015. Скачать: PDF
Исследованы структурные, электрические и магниторезистивные свойства образцов La$_{1-x}$Sr$_{x}$MnO$_{3}$ ($х = 0,15—0,60$), изготовленных золь—гель-методом. Кристаллографические параметры определялись с помощью рентгеновской дифракции. Измерения электрических свойств выполнялись в температурном интервале 77—380 К как в магнитном поле, так и без него. Проанализированы температурные зависимости электрических и магниторезистивных свойств соединения с разными концентрациями Sr. Установлена концентрационная зависимость температуры Кюри $Т_{С}$ для соединения La$_{1-x}$Sr$_{x}$MnO$_{3}$.
Ключевые слова: замещённый манганит, золь—гель-метод, переход металл—диэлектрик, магнитосопротивление.
URL: http://mfint.imp.kiev.ua/ru/abstract/v37/i10/1395.html
PACS: 61.66.Fn, 71.30.+h, 75.47.Gk, 75.47.Lx, 81.20.Fw, 81.40.Rs