Структурні, електричні та магнеторезистивні властивості заміщених стронцієм манганітів лантану
Т. І. Полек1, О. І. Товстолиткін1, С. О. Солопан2, А. Г. Білоус2, С. В. Недух3, С. І. Тарапов3
1Інститут магнетизму НАН та МОН України, бульв. Академіка Вернадського, 36б, 03142 Київ, Україна
2Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України, просп. Академіка Палладіна, 32/34, 03680 Київ, Україна
3Інститут радіофізики та електроніки ім. О.Я. Усикова НАН України, вул. Академіка Проскури, 12, 61085 Харків, Україна
Отримано: 25.06.2015; остаточний варіант - 17.08.2015. Завантажити: PDF
Досліджено структурні, електричні та магнеторезистивні властивості зразків La1−xSrxMnO3 (х = 0,15—0,60), виготовлених золь—ґель-методою. Кристалографічні параметри визначалися за допомогою рентґенівської дифракції. Вимірювання електричних властивостей виконувалися в температурному інтервалі 77—380 К як у магнетному полі, так і без нього. Проаналізовано температурні залежності електричних та магнеторезистивних властивостей сполуки при різних концентраціях Sr. Встановлено концентраційну залежність температури Кюрі Т_{С} для сполуки La_{1-x}Sr_{x}MnO_{3}.
Ключові слова: заміщений манганіт, золь—ґель-метода, перехід метал—діелектрик, магнетоопір.
URL: http://mfint.imp.kiev.ua/ua/abstract/v37/i10/1395.html
PACS: 61.66.Fn, 71.30.+h, 75.47.Gk, 75.47.Lx, 81.20.Fw, 81.40.Rs