Эмиссионные характеристики легированных азотом наноструктурных алмазных покрытий, синтезированных в плазме тлеющего разряда
С. Ф. Дудник1, К. И. Кошевой1, М. М. Нищенко2, С. В. Смольник2, В. Е. Стрельницкий1, Н. А. Шевченко2
1Национальный научный центр «Харьковский физико-технический институт» НАН Украины, ул. Академическая, 1, 61108 Харьков, Украина
2Институт металлофизики им. Г.В. Курдюмова НАН Украины, бульв. Академика Вернадского, 36, 03142 Киев, Украина
Получена: 17.09.2015. Скачать: PDF
Исследованы эмиссионные характеристики легированных азотом наноструктурных алмазных покрытий с удельным сопротивлением в диапазоне 2,3⋅104—4⋅101 Ом⋅см, полученных в плазме тлеющего разряда в различных условиях. Показано, что эмиссионный ток с поверхности образцов появляется после удаления примесей при отжиге в интервале 603—818 К, создающих поверхностные акцепторные электронные состояния p-типа, влияющие на работу выхода, определяемую методом контактной разницы потенциалов по смещению вольт-амперной характеристики. Для наноструктурного алмазного покрытия с удельным сопротивлением 2,4⋅102 Ом⋅см получено наиболее низкое значение работы выхода 1,28 эВ и наибольшая плотность тока 6,9 мА/см2 при 963 К.
Ключевые слова: алмазные плёнки, термоэлектронная эмиссия, работа выхода, поверхностные электронные состояния.
URL: http://mfint.imp.kiev.ua/ru/abstract/v37/i11/1487.html
PACS: 65.40.gh, 73.20.At,73.30.+y, 73.63.Bd, 79.40.+z, 81.05.uj, 81.65.Lp