Емісійні характеристики легованих азотом наноструктурних алмазних покриттів, синтезованих у плазмі тліючого розряду

С. Ф. Дудник$^{1}$, К. І. Кошевой$^{1}$, М. М. Нищенко$^{2}$, С. В. Смольнік$^{2}$, В. Е. Стрельницький$^{1}$, М. Я. Шевченко$^{2}$

$^{1}$Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України, вул. Академічна, 1, 61108 Харків, Україна
$^{2}$Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України, бульв. Академіка Вернадського, 36, 03142 Київ, Україна

Отримано: 17.09.2015. Завантажити: PDF

Досліджено емісійні характеристики леґованих Нітроґеном наноструктурних діямантових покриттів із питомим опором у діяпазоні 2,3$\cdot$10$^{4}$—4$\cdot$10$^{1}$ Ом$\cdot$см, одержаних у плазмі жеврійного розряду за різних умов. Показано, що емісійний струм із поверхні зразків з’являється після видалення домішок при відпалі в інтервалі 603—818 К, що створюють поверхневі акцепторні електронні стани p-типу, які впливають на роботу виходу, що визначається методою контактної ріжниці потенціялів по зміщенню вольт-амперної характеристики. Для наноструктурного діямантового покриття з питомим опором у 2,4$\cdot$10$^{2}$ Ом$\cdot$см одержано найбільш низьке значення роботи виходу у 1,28 еВ і найбільшу густину струму у 6,9 мА/см$^{2}$ при 963 К.

Ключові слова: діямантові плівки, термоелектронна емісія, робота входу, поверхневі електронні стани.

URL: http://mfint.imp.kiev.ua/ua/abstract/v37/i11/1487.html

PACS: 65.40.gh, 73.20.At,73.30.+y, 73.63.Bd, 79.40.+z, 81.05.uj, 81.65.Lp


ЦИТОВАНА ЛІТЕРАТУРА
  1. F. J. Himpsel, J. A. Knapp, J. A. VanVechten, and D. E. Eastman, Phys. Rev. B, 20: 624 (1979). Crossref
  2. O. A. Williams, S. Curat, J. E. Gerbi, D. M. Gruen, and R. B. Jackman, Appl. Phys. Lett., 85, No. 10: 1680 (2001). Crossref
  3. S. H. Seo, T. H. Lee, Y. D. Kim, Ch. K. Park, and J. S. Park, Thin Solid Films, 447–448: 212 (2004). Crossref
  4. M. Suzuki, T. Ono, N. Sakuma, and T. Sakai, Diamond & Related Materials, 18: 1274 (2009). Crossref
  5. F. A. M. Koeck and R. J. Nemanich, Diamond & Related Materials, 18, No. 2: 232 (2009). Crossref
  6. F. A. M. Koeck, R. J. Nemanich, Y. Balasubramaniam, K. Haenen, and J. Sharp, Diamond & Related Materials, 20, No. 8: 1229 (2011). Crossref
  7. И. И. Выровец, В. И. Грицына, С. Ф. Дудник, О. А. Опалев, О. М. Решетняк, В. Е. Стрельницкий, Материалы 21 Международного симпозиума «Тонкие пленки в электронике» (Москва: ОАО «ЦНИТИ ТЕХНОМАШ»: 2008).
  8. И. И. Выровец, В. И. Грицына, С. Ф. Дудник, О. А. Опалев, Е. Н. Решетняк, В. Е. Стрельницкий, Международная научная конференция «Физико-химические основы формирования и модификации микро - и наноструктур» (октябрь 2009 г., Харьков), т. 1, с. 210.
  9. В. И. Грицына, С. Ф. Дудник, К. И. Кошевой, О. А. Опалев, Е. Н. Решетняк, В. Е. Стрельницкий, Физическая инженерия поверхности, 11, № 4: 338 (2013).
  10. Б. Я. Меламед, В. И. Силантьев, Н. А. Шевченко, Физические методы исследования металлов (Киев: Наукова думка: 1981).
  11. P. A. Anderson, Phys. Rev., 47: 958 (1935). Crossref
  12. В. И. Силантьев, Н. А. Шевченко, Б. Я. Меламед, УФЖ, 24, № 8: 1227 (1979).
  13. В. И. Силантьев, Н. А. Шевченко, Б. Я. Меламед, Вопросы атомной науки и техники. Серия: Общая и ядерная физика, 1, № 2: 66 (1983).
  14. С. А. Комолов, Интегральная вторично-электронная спектроскопия поверхности (Ленинград: Изд. Ленинградского университета: 1986)
  15. L. Diederich, O. M. Küttel, P. Aebi, and L. Schlapbach, Surf. Sci., 418: 219 (1998). Crossref
  16. O. М. Артамонов, С. Н. Самарин, ЖТФ, 61, № 10: 186 (1991).
  17. D. Straub, L. Ley, and F. I. Himpsel, Phys. Rev. B, 33, No. 4: 2607 (1986). Crossref