Фотон-индуцированный электронный транспорт: шумовые характеристики туннельного контакта на основе сверхпроводника при низких температурах
И. В. Бойло
Донецкий физико-технический институт им. А.А. Галкина НАН Украины, просп. Науки, 46, 03680, ГСП, Киев, Украина
Получена: 04.08.2015; окончательный вариант - 25.08.2016. Скачать: PDF
В данной статье выполнены численные расчёты мощности фотон-индуцированного дробового шума и фактора Фано для мезоскопических структур нормальный металл—изолятор—сверхпроводник. Исследовано влияние температуры на величину фотон-индуцированных токовых флуктуаций в туннельном контакте. Моделирование неравновесных токовых флуктуаций демонстрирует увеличение спектральной плотности шума с ростом частоты переменного сигнала. Показано, что фактор Фано в суперпуассоновском режиме фотон-индуцированного электронного транспорта имеет резкий пик в области энергетической щели сверхпроводника.
Ключевые слова: фотон-индуцированный электронный транспорт, дробовой шум, фактор Фано, туннельный контакт, сверхпроводники.
URL: http://mfint.imp.kiev.ua/ru/abstract/v38/i08/1009.html
PACS: 73.50.Td, 74.25.fc, 74.45.+c, 74.55.+v, 74.78.Fk, 85.25.Cp, 85.40.Qx