Фотон-індукований електронний транспорт: шумові характеристики тунельного контакту на основі надпровідника за низьких температур
І. В. Бойло
Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України, просп. Науки, 46, 03680, МСП, Київ, Україна
Отримано: 04.08.2015; остаточний варіант - 25.08.2016. Завантажити: PDF
У даній статті виконано чисельні розрахунки потужности фотон-індукованого дробового шуму та фактора Фано для мезоскопічних структур нормальний метал—ізолятор—надпровідник. Досліджено вплив температури на величину фотон-індукованих флюктуацій струму в тунельному контакті. Моделювання нерівноважних струмових флюктуацій демонструє збільшення спектральної густини шуму із зростанням частоти змінного сиґналу. Показано, що фактор Фано в суперпуассоновому режимі фотон-індукованого електронного транспорту має різкий пік в області енергетичної щілини надпровідника.
Ключові слова: фотон-індукований електронний транспорт, дробовий шум, фактор Фано, тунельний контакт, надпровідники.
URL: http://mfint.imp.kiev.ua/ua/abstract/v38/i08/1009.html
PACS: 73.50.Td, 74.25.fc, 74.45.+c, 74.55.+v, 74.78.Fk, 85.25.Cp, 85.40.Qx