Термоэдс фононного увлечения в квантовой проволоке с параболическим ограничивающим потенциалом

И. И. Аббасов$^{1}$, Х. А. Гасанов$^{2}$, Дж. И. Гусейнов$^{2}$

$^{1}$Azerbaijan State Oil and Industrial University, 20 Azadliq, Baku, Azerbaijan
$^{2}$Azerbaijan State Pedagogical University, 34 U. Hajibayov Str., Baku, Azerbaijan

Получена: 05.08.2017. Скачать: PDF

Разработана количественная теория термоэдс фононного увлечения для одномерного электронного газа в квантовой проволоке с параболическим ограничивающим потенциалом. Градиент температуры направлен вдоль оси квантовой проволоки. Предполагается, что уровень Ферми расположен между нулевым и первым уровнями размерного квантования. С использованием кинетического уравнения Больцмана вычислены фононная и электронная части термоэдс. Для сравнения были проведены численные расчёты температурной и концентрационной зависимостей фононной и диффузионной частей термоэдс. Показано, что фононное увлечение вносит основной вклад в термоэдс в интервале температур 2–20 К.

Ключевые слова: квантовая проволока, фононное увлечение, параболический потенциал, энергетический спектр, термоэлектрические эффекты, термодинамика диффузии, тепловая энергия фононов.

URL: http://mfint.imp.kiev.ua/ru/abstract/v39/i09/1165.html

PACS: 63.20.K-, 72.15.Jf, 72.15.Nj, 72.20.Pa, 73.21.Hb, 73.63.Nm, 85.80.Fi

ЦИТИРОВАННАЯ ЛИТЕРАТУРА

M.-T. Rieder, T. Micklitz, A. Levchenko, and K. A. Matveev, Phys. Rev. B, 90: 165405 (2014). Crossref
J. Mao, Z. Liu, and Z. Ren, NPJ Quantum Materials, 1, Article number: 16028 (2016). Crossref
Kh. A. Hasanov, J. I. Huseynov, V. V. Dadashova, and F. F. Aliyev, Semiconductors, 50, Iss. 3: 295 (2016). Crossref
L. D. Hicks and M. S. Dresselhaus, Phys. Rev. B, 47: 12727 (1993). Crossref
V. M. Galitskiy, B. M. Karnakov, and V. I. Kogan, Zadachi po Kvantovoy Mekhanike [Problems in Quantum Mechanics] (Moscow: Nauka: 1992) (in Russian).
S. S. Kubakaddi and P. N. Butcher, J. Phys.: Condens. Matter, 1: 3939 (1989). Crossref
S. K. Lyo, Phys. Rev. B, 38: 6345 (1988). Crossref
R. Fletcher, J. C.Maan, and G. Weimann, Phys. Rev. B, 32: 8477 (1985). Crossref
R. Fletcher, J. J. Harris, C. T.Foxon, M. Tsaousidou, and P. N. Butcher, Phys. Rev. B, 50: 14991 (1994). Crossref
B. M. Askerov, Electron Transport Phenomena in Semiconductors (Singapore: World Scientific: 1994). Crossref
V. F. Gantmakher and I. B. Levinson, Carrier Scattering in Metals and Semiconductors (Amsterdam: Noth-Holland: 1987).
E. P. Sinyavskii and S. M. Sokovich, Fizika Tverdogo Tela, 42, No. 9: 1695 (2000) (in Russian).