Loading [MathJax]/jax/output/HTML-CSS/jax.js

Термоэдс фононного увлечения в квантовой проволоке с параболическим ограничивающим потенциалом

И. И. Аббасов1, Х. А. Гасанов2, Дж. И. Гусейнов2

1Azerbaijan State Oil and Industrial University, 20 Azadliq, Baku, Azerbaijan
2Azerbaijan State Pedagogical University, 34 U. Hajibayov Str., Baku, Azerbaijan

Получена: 05.08.2017. Скачать: PDF

Разработана количественная теория термоэдс фононного увлечения для одномерного электронного газа в квантовой проволоке с параболическим ограничивающим потенциалом. Градиент температуры направлен вдоль оси квантовой проволоки. Предполагается, что уровень Ферми расположен между нулевым и первым уровнями размерного квантования. С использованием кинетического уравнения Больцмана вычислены фононная и электронная части термоэдс. Для сравнения были проведены численные расчёты температурной и концентрационной зависимостей фононной и диффузионной частей термоэдс. Показано, что фононное увлечение вносит основной вклад в термоэдс в интервале температур 2–20 К.

Ключевые слова: квантовая проволока, фононное увлечение, параболический потенциал, энергетический спектр, термоэлектрические эффекты, термодинамика диффузии, тепловая энергия фононов.

URL: http://mfint.imp.kiev.ua/ru/abstract/v39/i09/1165.html

PACS: 63.20.K-, 72.15.Jf, 72.15.Nj, 72.20.Pa, 73.21.Hb, 73.63.Nm, 85.80.Fi


ЦИТИРОВАННАЯ ЛИТЕРАТУРА
  1. M.-T. Rieder, T. Micklitz, A. Levchenko, and K. A. Matveev, Phys. Rev. B, 90: 165405 (2014). Crossref
  2. J. Mao, Z. Liu, and Z. Ren, NPJ Quantum Materials, 1, Article number: 16028 (2016). Crossref
  3. Kh. A. Hasanov, J. I. Huseynov, V. V. Dadashova, and F. F. Aliyev, Semiconductors, 50, Iss. 3: 295 (2016). Crossref
  4. L. D. Hicks and M. S. Dresselhaus, Phys. Rev. B, 47: 12727 (1993). Crossref
  5. V. M. Galitskiy, B. M. Karnakov, and V. I. Kogan, Zadachi po Kvantovoy Mekhanike [Problems in Quantum Mechanics] (Moscow: Nauka: 1992) (in Russian).
  6. S. S. Kubakaddi and P. N. Butcher, J. Phys.: Condens. Matter, 1: 3939 (1989). Crossref
  7. S. K. Lyo, Phys. Rev. B, 38: 6345 (1988). Crossref
  8. R. Fletcher, J. C.Maan, and G. Weimann, Phys. Rev. B, 32: 8477 (1985). Crossref
  9. R. Fletcher, J. J. Harris, C. T.Foxon, M. Tsaousidou, and P. N. Butcher, Phys. Rev. B, 50: 14991 (1994). Crossref
  10. B. M. Askerov, Electron Transport Phenomena in Semiconductors (Singapore: World Scientific: 1994). Crossref
  11. V. F. Gantmakher and I. B. Levinson, Carrier Scattering in Metals and Semiconductors (Amsterdam: Noth-Holland: 1987).
  12. E. P. Sinyavskii and S. M. Sokovich, Fizika Tverdogo Tela, 42, No. 9: 1695 (2000) (in Russian).