Термоерс фононного перетягання в квантовому дроті з параболічним обмежувальним потенціялом

І. І. Аббасов $^{1}$ , Х. А. Гасанов $^{2}$ , Дж. І. Гусейнов $^{2}$

$^{1}$ Azerbaijan State Oil and Industrial University, 20 Azadliq, Baku, Azerbaijan
$^{2}$ Azerbaijan State Pedagogical University, 34 U. Hajibayov Str., Baku, Azerbaijan

Отримано: 05.08.2017. Завантажити: PDF

Розроблено кількісну теорію термоерс фононного перетягання для одновимірного електронного газу в квантовому дроті з параболічним обмежувальним потенціялом. Ґрадієнт температури спрямовано уздовж осі квантового дроту. Передбачається, що рівень Фермі розташований між нульовим і першим рівнями розмірного квантування. З використанням Больцманнового кінетичного рівняння обчислено фононну й електронну частини термоерс. Для порівняння було проведено чисельні розрахунки температурної та концентраційної залежностей фононної й дифузійної частин термоерс. Показано, що фононне перетягання дає основний внесок у термоерс в інтервалі температур 2–20 К.

Ключові слова: квантовий дріт, фононне перетягання, параболічний потенціял, енергетичний спектер, термоелектричні ефекти, термодинаміка дифузії, теплова енергія фононів.

URL: http://mfint.imp.kiev.ua/ua/abstract/v39/i09/1165.html

PACS: 63.20.K-, 72.15.Jf, 72.15.Nj, 72.20.Pa, 73.21.Hb, 73.63.Nm, 85.80.Fi

ЦИТОВАНА ЛІТЕРАТУРА

M.-T. Rieder, T. Micklitz, A. Levchenko, and K. A. Matveev, Phys. Rev. B, 90: 165405 (2014). Crossref
J. Mao, Z. Liu, and Z. Ren, NPJ Quantum Materials, 1, Article number: 16028 (2016). Crossref
Kh. A. Hasanov, J. I. Huseynov, V. V. Dadashova, and F. F. Aliyev, Semiconductors, 50, Iss. 3: 295 (2016). Crossref
L. D. Hicks and M. S. Dresselhaus, Phys. Rev. B, 47: 12727 (1993). Crossref
V. M. Galitskiy, B. M. Karnakov, and V. I. Kogan, Zadachi po Kvantovoy Mekhanike [Problems in Quantum Mechanics] (Moscow: Nauka: 1992) (in Russian).
S. S. Kubakaddi and P. N. Butcher, J. Phys.: Condens. Matter, 1: 3939 (1989). Crossref
S. K. Lyo, Phys. Rev. B, 38: 6345 (1988). Crossref
R. Fletcher, J. C.Maan, and G. Weimann, Phys. Rev. B, 32: 8477 (1985). Crossref
R. Fletcher, J. J. Harris, C. T.Foxon, M. Tsaousidou, and P. N. Butcher, Phys. Rev. B, 50: 14991 (1994). Crossref
B. M. Askerov, Electron Transport Phenomena in Semiconductors (Singapore: World Scientific: 1994). Crossref
V. F. Gantmakher and I. B. Levinson, Carrier Scattering in Metals and Semiconductors (Amsterdam: Noth-Holland: 1987).
E. P. Sinyavskii and S. M. Sokovich, Fizika Tverdogo Tela, 42, No. 9: 1695 (2000) (in Russian).