Отрицательное дифференциальное сопротивление $N$-типа в вольт-амперных характеристиках металлических гетероструктур
В. В. Шамаев$^{1}$, Е. С. Житлухина$^{2,3}$
$^{1}$Донецкий национальный технический университет, пл. Шибанкова, 2, 85300 Покровск, Украина
$^{2}$Донецкий национальный университет имени Васыля Стуса, ул. 600-летия, 21, 21021 Винница, Украина
$^{3}$Донецкий физико-технический институт им. А. А. Галкина НАН Украины, просп. Науки, 46, 03028 Киев, Украина
Получена: 28.03.2018; окончательный вариант - 08.05.2018. Скачать: PDF
Предложен физический механизм, ответственный за возникновение участка отрицательного дифференциального сопротивления $N$-типа в вольт-амперных характеристиках металлических гетероструктур с туннельным барьером, образованным полупроводниковой прослойкой с внедрёнными в неё примесными центрами. Развитая в работе теория основана на предположении о наличии в потенциальном барьере локализованных двухуровневых структур, которые определяют величину тока, протекающего через соответствующий транспортный канал. Проанализировано влияние параметров задачи на туннельный ток.
Ключевые слова: отрицательное дифференциальное сопротивление, негатрон, двухуровневые центры, туннельный ток.
URL: http://mfint.imp.kiev.ua/ru/abstract/v40/i06/0729.html
PACS: 64.60.ah, 72.20.Dp, 72.80.Tm, 73.40.Gk, 73.40.Rw, 73.50.Fq, 81.05.Zx