Влияние внешнего магнитного поля на транспортные характеристики сверхпроводниковых переходов MoRe–Si(W)–MoRe
В. Е. Шатерник$^{1}$, А. Ю. Суворов$^{1}$, И. Г. Гавриш$^{1}$, А. П. Шаповалов$^{1,2}$
$^{1}$Институт металлофизики им. Г. В. Курдюмова НАН Украины, бульв. Академика Вернадского, 36, 03142 Киев, Украина
$^{2}$Институт сверхтвёрдых материалов им. В. Н. Бакуля НАН Украины, ул. Автозаводская, 2, 04074 Киев, Украина
Получена: 17.06.2020; окончательный вариант - 11.10.2020. Скачать: PDF
Экспериментально исследовано влияние магнитного поля на вольт-амперные характеристики гетероструктур MoRe–Si(W)–MoRe, состоящих из сверхпроводниковых обкладок (сплав молибдена с рением) и гибридного полупроводникового туннельного барьера из наноразмерного слоя кремния (Si) с нанокластерами вольфрама (W). Обнаружено возрастание резистивного участка соответствующих кривых и показано, что этот эффект является следствием изменения слабой локализации электронов в разупорядоченном барьере под влиянием приложенного магнитного поля.
Ключевые слова: вольт-амперные характеристики, гибридные сверхпроводниковые гетероструктуры, резонансно-перколяционный одномерный транспорт, слабая локализация.
URL: http://mfint.imp.kiev.ua/ru/abstract/v42/i12/1617.html
PACS: 73.23.Hk, 73.43.Jn, 74.25.F-, 74.45.+c, 74.50.+r, 74.55.+v, 74.81.Fa