Влияние внешнего магнитного поля на транспортные характеристики сверхпроводниковых переходов MoRe–Si(W)–MoRe
В. Е. Шатерник1, А. Ю. Суворов1, И. Г. Гавриш1, А. П. Шаповалов1,2
1Институт металлофизики им. Г. В. Курдюмова НАН Украины, бульв. Академика Вернадского, 36, 03142 Киев, Украина
2Институт сверхтвёрдых материалов им. В. Н. Бакуля НАН Украины, ул. Автозаводская, 2, 04074 Киев, Украина
Получена: 17.06.2020; окончательный вариант - 11.10.2020. Скачать: PDF
Экспериментально исследовано влияние магнитного поля на вольт-амперные характеристики гетероструктур MoRe–Si(W)–MoRe, состоящих из сверхпроводниковых обкладок (сплав молибдена с рением) и гибридного полупроводникового туннельного барьера из наноразмерного слоя кремния (Si) с нанокластерами вольфрама (W). Обнаружено возрастание резистивного участка соответствующих кривых и показано, что этот эффект является следствием изменения слабой локализации электронов в разупорядоченном барьере под влиянием приложенного магнитного поля.
Ключевые слова: вольт-амперные характеристики, гибридные сверхпроводниковые гетероструктуры, резонансно-перколяционный одномерный транспорт, слабая локализация.
URL: http://mfint.imp.kiev.ua/ru/abstract/v42/i12/1617.html
PACS: 73.23.Hk, 73.43.Jn, 74.25.F-, 74.45.+c, 74.50.+r, 74.55.+v, 74.81.Fa