Вплив зовнішнього магнетного поля на транспортні характеристики надпровідникових переходів MoRe–Si(W)–MoRe
В. Є. Шатернік$^{1}$, О. Ю. Суворов$^{1}$, І. Г. Гавриш$^{1}$, А. П. Шаповалов$^{1,2}$
$^{1}$Інститут металофізики ім. Г. В. Курдюмова НАН України, бульв. Академіка Вернадського, 36, 03142 Київ, Україна
$^{2}$Інститут надтвердих матеріалів ім. В. М. Бакуля НАН України, вул. Автозаводська, 2, 04074 Київ, Україна
Отримано: 17.06.2020; остаточний варіант - 11.10.2020. Завантажити: PDF
Експериментально досліджено вплив магнетного поля на вольт-амперні характеристики гетероструктур MoRe–Si(W)–MoRe, що складаються з надпровідних обкладок (стоп молібдену з ренієм) та гібридного напівпровідникового тунельного бар’єра з нанорозмірного шару кремнію (Si) з нанокластерами вольфраму (W). Виявлено зростання резистивної ділянки відповідних кривих i показано, що цей ефект є наслідком зміни слабкої локалізації електронів у розупорядкованому бар’єрі під впливом прикладеного магнетного поля.
Ключові слова: вольт-амперні характеристики, гібридні надпровідникові гетероструктури, резонансно-перколяційний одновимірний транспорт, слабка локалізація.
URL: http://mfint.imp.kiev.ua/ua/abstract/v42/i12/1617.html
PACS: 73.23.Hk, 73.43.Jn, 74.25.F-, 74.45.+c, 74.50.+r, 74.55.+v, 74.81.Fa