Вплив зовнішнього магнетного поля на транспортні характеристики надпровідникових переходів MoRe–Si(W)–MoRe
В. Є. Шатернік1, О. Ю. Суворов1, І. Г. Гавриш1, А. П. Шаповалов1,2
1Інститут металофізики ім. Г. В. Курдюмова НАН України, бульв. Академіка Вернадського, 36, 03142 Київ, Україна
2Інститут надтвердих матеріалів ім. В. М. Бакуля НАН України, вул. Автозаводська, 2, 04074 Київ, Україна
Отримано: 17.06.2020; остаточний варіант - 11.10.2020. Завантажити: PDF
Експериментально досліджено вплив магнетного поля на вольт-амперні характеристики гетероструктур MoRe–Si(W)–MoRe, що складаються з надпровідних обкладок (стоп молібдену з ренієм) та гібридного напівпровідникового тунельного бар’єра з нанорозмірного шару кремнію (Si) з нанокластерами вольфраму (W). Виявлено зростання резистивної ділянки відповідних кривих i показано, що цей ефект є наслідком зміни слабкої локалізації електронів у розупорядкованому бар’єрі під впливом прикладеного магнетного поля.
Ключові слова: вольт-амперні характеристики, гібридні надпровідникові гетероструктури, резонансно-перколяційний одновимірний транспорт, слабка локалізація.
URL: http://mfint.imp.kiev.ua/ua/abstract/v42/i12/1617.html
PACS: 73.23.Hk, 73.43.Jn, 74.25.F-, 74.45.+c, 74.50.+r, 74.55.+v, 74.81.Fa