Структурные дефекты в многослойной наносистеме Ni/Cu/Cr/Si, индуцированные термическим и ионным влиянием

И. А. Круглов$^{1}$, Л. М. Капитанчук$^{1}$, Т. Ишикава$^{2}$, С. И. Сидоренко$^{1}$, С. М. Волошко$^{1}$

$^{1}$Национальный технический университет Украины «Киевский политехнический институт имени Игоря Сикорского», просп. Победы, 37, 03056 Киев, Украина
$^{2}$RIKEN SPring-8 Center, 1-1-1 Kouto, Sayo-cho, Sayo-gun, Hyogo 679-5148, Japan

Получена: 25.08.2020. Скачать: PDF

Исследованы структурные и концентрационные изменения в многослойной наносистеме Ni(25 нм)/Cu(25 нм)/Cr(25 нм) на монокристаллической подложке Si(100) в условиях термической обработки в кислородсодержащей и нейтральной атмосферах при температуре 450°С, а также дополнительного ионного (Ar$^{+}$) облучения с энергией 800 эВ и флюенсом 5,6$\cdot10^{16}$ ион/см$^2$. Анализировалось влияние различной исходной дефектности структуры образцов на i) эффект размерной нестабильности, который проявляется путём формирования микропор, ii) концентрационные изменения, в том числе насыщения примесями, а также iii) механизмы и закономерности диффузионных процессов. С этой целью использованы синхротронное излучение на материаловедческом бимлайне BL44B2 RIKEN центра SPring-8, методы Оже-электронной спектроскопии (Jamp-9500F, Jeol) и сканирующей электронной микроскопии. Установлено, что в условиях термической обработки в атмосфере аргона исходная структура плёнки практически не влияет на эволюцию дефектов и характер диффузионных процессов. В то же время, отжиг в аргоне во всех случаях ускоряет диффузию Ni в слой Cu по объёмному механизму и диффузию Cu в слой Ni по зернограничному механизму по сравнению с отжигом в вакууме 10$^{-3}$ Па. После отжига в вакууме плёнок, имеющих наноразмерные поры в исходном состоянии, наблюдается не только интенсивная диффузия Cr к наружной поверхности (концентрация Cr в приповерхностном слое достигает $\cong$ 25 ат.%) с последующим окислением, а и катастрофическое насыщения слоя Cr углеродом — до 30 ат.%. В условиях применения предварительной ионной обработки поверхности количество углерода существенно снижается, а степень совершенства кристаллической структуры Cu растёт.

Ключевые слова: тонкие плёнки, структурные дефекты, ионная обработка, термический отжиг, диффузия.

URL: http://mfint.imp.kiev.ua/ru/abstract/v43/i02/0183.html

PACS: 61.80.Jh, 68.37.Hk, 68.55.-a, 68.60.Dv, 73.50.-h, 81.15.Cd


ЦИТИРОВАННАЯ ЛИТЕРАТУРА
  1. P. Panjan, A. Drnovšek, P. Gselman, M. Čekada, and M. Panjan, Coatings, 10: 447 (2020). Crossref
  2. T. Moriya, H. Nagaike, K. Denpoh, S. Kawaguchi, M. Shimada, and K. Okuyama, J. Vac. Sci. Technol., B, 22: 1688 (2004). Crossref
  3. Ф. В. Григорьевa, В. Б. Сулимов, А. В. Тихонравов, Вестник Московского университета. Серия 3. Физика. Астрономия (2018).
  4. I. R. Lloyd and S. Nakahara, J. Vac. Sci. Technol., 14: 655 (1977). Crossref
  5. А. Г. Багмут, Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 6: 65 (2008).
  6. A. G. Bagmut, Functional Materials, 4: 365 (1997).
  7. С. И. Богатыренко, Н. Т. Гладких, А. П. Крышталь, А. Л. Самсоник, В. Н. Сухов, Физика металлов и металловедение, 109: 276 (2010). Crossref
  8. W. F. Egelhoff, J. Vac. Sci. Technol. A, 7: 2060 (1989). Crossref
  9. A. K. Schmid, D. Atlan, H. Itoh, B. Heinrich, T. Ichinokawa, and J. Kirschner, Phys. Rev. B, 48: 2855 (1993). Crossref
  10. J. Kennedy, P. P. Murmu, J. Leveneur, A. Markwitz, and J. Futter, Appl. Surf. Sci., 367: 52 (2016). Crossref
  11. S. Steffens, C. Becker, J. H. Zollondz, A. Chowdhury, A. Slaoui, S. Lindekugel, and B. Rech, Mater. Sci. Eng., B, 178: 670 (2013). Crossref
  12. L. G. Feinstein and J. B. Bindell, Thin Solid Films, 62: 37 (1979). Crossref
  13. D. Srinivasan and P. R. Subramanian, Mater. Sci. Eng., A, 459: 145 (2007). Crossref
  14. С. І. Сидоренко, С. М. Волошко, О. О. Міщук, А. А. Тинькова, Металофиз. новейшие технол., 34, № 1: 65 (2012).
  15. W. Brückner and S. Baunack, Thin Solid Films, 355–356: 316 (1999). Crossref
  16. A. M. Abdul-Lettif, phys. status solidi (a), 201: 2063 (2004). Crossref
  17. A. Tynkova, S. Sidorenko, S. Voloshko, A. R. Rennie, and M. A. Vasylyev, Vacuum, 87: 69 (2013). Crossref
  18. S. K. Kurinec, I. Toor, J. K. Chao, H. Shillinford, P. Holloway, S. Ray, and K. Beckham, Thin Solid Films, 162: 247 (1988). Crossref
  19. Ю. Г. Чабак, В. И. Федун, Т. В. Пастухова, В. И. Зурнаджи, С. П. Бережный, В. Г. Ефременко, Вопросы атомной науки и техники, 110: 97 (2017).
  20. S. Subhendu Sarkar, Appl. Surf. Sci., 526: 146473 (2020). Crossref
  21. В. Брык, Р. Василенко, В. Н. Воеводин, А. Гончаров, Т. Григорова, А. Гугля, В. Колобродов, М. Литвиненко, И. Марченко, Е. Мельникова, Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології, 9, № 1: 175 (2011).
  22. A. Azarov, A. Galeckas, E. Wendler, J. Ellingsen, E. Monakhov, and B. G. Svensson, J. Appl. Phys., 122: 115701 (2017). Crossref
  23. J. Tang, M. Hong, Y. Wang, W. Qin, F. Ren, L. Dong, H. Wang, L. Hu, G. Cai, and C. Jiang, J. Nucl. Mater., 500: 242 (2018). Crossref
  24. I. O. Kruhlov, I. A. Vladymyrskyi, O. Dubikovskyi, S. I. Sidorenko, T. Ebisu, K. Kato, O. Sakata, T. Ishikawa, Y. Iguchi, G. A. Langer, Z. Erdélyi, and S. M. Voloshko, Mater. Res. Express, 6: 126431 (2019). Crossref
  25. I. O. Kruhlov, L. M. Kapitanchuk, S. I. Sidorenko, Z. Erdélyi, T. Ishikawa, and S. M. Voloshko, 2020 IEEE 40th Int. Conf. on Electronics and Nanotechnology (Apr. 22-24, 2020) (Kyiv, Ukraine: 2020), p. 148. Crossref
  26. P. J. Scherrer, Nachrichten von der Königlichen Gesellschaft der Wissenschaften zu Göttingen, 2: 96 (1918) (in German).
  27. P. Pokorny, J. Musil, P. Fitl, M. Novotny, J. Lancok, and J. Bulir, Plasma Process. Polym., 12, Iss. 5: (2014). Crossref
  28. X. Cen, A. M. Thron, X. Zhang, and K. van Benthem, Ultramicroscopy, 178: 131 (2017). Crossref
  29. W. M. Dawson and F. R. Sale, Metall. Trans. A, 8: 15 (1977). Crossref
  30. Б. П. Коман, В. Н. Юзевич, Физика твердого тела, 54, 7: 1335 (2012).
  31. A. G. Akimov, A. P. Dementjev, J. L. Hericy, P. Kazansky, A. N. Khodan, J. P. Langeron, N. A. Melnikova, V. I. Rakhovsky, and J. L. Vignes, Surf. Interface Anal., 18: 705 (1992). Crossref
  32. J. Wan, Y. L. Fan, D. W. Gong, S. G. Shen, and X. Q. Fan, Modell. Simul. Mater. Sci. Eng., 7: 189 (1999). Crossref
  33. М. О. Васильєв, В. М. Колесник, С. І. Сидоренко, С. М. Волошко, В. В. Янчук, А. К. Орлов, Металлофиз. новейшие технол., 40, No. 7: 919 (2018). Crossref
  34. J. Lou, H. He, Y. Li, H. Zhang, Z. Fang, and X. Wei, JOM, 71: 1073 (2019). Crossref
  35. А. К. Орлов, І. О. Круглов, І. Є. Котенко, С. І. Сидоренко, С. М. Волошко, Металлофиз. новейшие технол., 39, No. 3: 349 (2017). Crossref