Выпуски МФиНТ »  Том 36, выпуск 2

Изменения поверхностного заряда и содержания дефектов в кремнии для накопителей солнечной энергии, вызванные магнитным полем

В. А. Макара, Л. П. Стебленко, О. А. Коротченков, А. Б. Надточий, Д. В. Калиниченко, А. Н. Курилюк, Ю. Л. Кобзарь, А. Н. Крит

Киевский национальный университет имени Тараса Шевченка, ул. Владимирская, 64, 01601 Киев, Украина

Получена: 23.04.2013. Скачать: PDF

В работе исследуется влияние слабого постоянного магнитного поля на структуру и зарядовое состояние кремния для солнечной энергетики. Обнаружено, что магнитостимулированные изменения дефектно-примесного состояния и поверхностного потенциала носят обратимый характер.

Ключевые слова: «солнечный» кремний, примеси, магнитное поле, поверхностный потенциал, время рекомбинации носителей.

URL: http://mfint.imp.kiev.ua/ru/abstract/v36/i02/0189.html

PACS: 61.72.Bb, 61.72.Cc, 61.72.Dd, 61.72.Hh, 66.30.Dn

ЦИТИРОВАННАЯ ЛИТЕРАТУРА
  1. V. I. Al’shits, E. V. Darinskaya, T. M. Perekalina, and A. A. Urusovskaya, Sov. Phys. Solid State, 29: 265 (1987).
  2. Ya. B. Zel’dovich, A. L. Buchachenko, and E. L. Frankevich, Sov. Phys. Uspekhi, 31: 385 (1988). Crossref
  3. V. M. Maslovskii and S. N. Postnikov, Proceedings of the 4th Scientific Technical Seminar on Processing by Pulse Magnetic Field (Methods and Technology) (Gorky, Sofia: 1989), p. 5.
  4. V. N. Buzykin, O. I. Datsko, and S. N. Postnikov, Elektron. Obrab. Mater., 2: 16 (1993) (in Russian).
  5. M. N. Levin and B. A. Zon, Zh. Exp. Teor. Fiz., 84, 760 (1997) (in Russian).
  6. M. N. Levin, G. V. Semenova, and T. P. Sushkova, Phys. Solid State, 45: 639 (2003). Crossref
  7. M. N. Levin, A. V. Tatarintsev, O. A. Kostsov, and A. M. Kostsov, Tech. Phys., 48: 1304 (2003). Crossref
  8. Yu. I. Golovin, Phys. Solid State, 46: 789 (2004). Crossref
  9. R. B. Morgunov, Phys. Uspekhi, 47: 125 (2004). Crossref
  10. A. L. Buchachenko, JETP, 105: 593 (2007). Crossref
  11. V. A. Makara, L. P. Steblenko, A. M. Korduban, O. V. Matveeva, A. N. Kuryliuk, S. N. Naumenko, Yu. L. Kolchenko, and G. V. Vesna, Materials and Structures of Modern Electronics (Minsk: 2006), p. 189 (in Russian).
  12. V. A. Makara, M. A. Vasiliev, L. P. Steblenko, O. V. Koplak, A. N. Kuryliuk, Yu. L. Kobzar, and S. N. Naumenko, Semiconductors, 42: 1044 (2008). Crossref
  13. V. A. Makara, O. A. Korotchenkov, L. P. Steblenko, A. A. Podolyan, and D. V. Kalinichenko, Semiconductors, 47, No. 5: 652 (2013). Crossref
  14. A. Podolian, V. Kozachenko, A. Nadtochiy, N. Borovoy, and O. Korotchenkov, J. Appl. Phys., 107: 093706 (2010). Crossref
  15. A. B. Nadtochy, O. A. Korotchenkov, and V. V. Kuryliuk, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 83, No. 3: 84 (2013) (in Russian).
  16. V. S. Vavilov, Defects in Silicon and on Its Surface (Moscow: Nauka: 1990) (in Russian).

© 2013–2017 «ИМФ НАН Украины»