Випуски МФіНТ »  Том 36, випуск 2

Зміни поверхневого заряду і вмісту дефектів в кремнії для накопичувачів сонячної енергії, викликані магнітним полем

В. А. Макара, Л. П. Стебленко, О. А. Коротченков, А. Б. Надточий, Д. В. Калиниченко, А. М. Курилюк, Ю. Л. Кобзар, А. М. Кріт

Київський національний університет імені Тараса Шевченка, вул. Володимирська, 64, 01601 Київ, Україна

Отримано: 23.04.2013. Завантажити: PDF

В роботі досліджено вплив слабкого сталого магнітного поля на структуру та зарядовий стан кремнію для сонячної енергетики. Виявлено, що магнітостимульовані зміни дефектно-домішкового стану та поверхневого потенціалу мають зворотній характер.

Ключові слова: «сонячний» кремній, домішки, магнітне поле, поверхневий потенціал, час рекомбінації носіїв.

URL: http://mfint.imp.kiev.ua/ua/abstract/v36/i02/0189.html

PACS: 61.72.Bb, 61.72.Cc, 61.72.Dd, 61.72.Hh, 66.30.Dn

ЦИТОВАНА ЛІТЕРАТУРА
  1. V. I. Al’shits, E. V. Darinskaya, T. M. Perekalina, and A. A. Urusovskaya, Sov. Phys. Solid State, 29: 265 (1987).
  2. Ya. B. Zel’dovich, A. L. Buchachenko, and E. L. Frankevich, Sov. Phys. Uspekhi, 31: 385 (1988). Crossref
  3. V. M. Maslovskii and S. N. Postnikov, Proceedings of the 4th Scientific Technical Seminar on Processing by Pulse Magnetic Field (Methods and Technology) (Gorky, Sofia: 1989), p. 5.
  4. V. N. Buzykin, O. I. Datsko, and S. N. Postnikov, Elektron. Obrab. Mater., 2: 16 (1993) (in Russian).
  5. M. N. Levin and B. A. Zon, Zh. Exp. Teor. Fiz., 84, 760 (1997) (in Russian).
  6. M. N. Levin, G. V. Semenova, and T. P. Sushkova, Phys. Solid State, 45: 639 (2003). Crossref
  7. M. N. Levin, A. V. Tatarintsev, O. A. Kostsov, and A. M. Kostsov, Tech. Phys., 48: 1304 (2003). Crossref
  8. Yu. I. Golovin, Phys. Solid State, 46: 789 (2004). Crossref
  9. R. B. Morgunov, Phys. Uspekhi, 47: 125 (2004). Crossref
  10. A. L. Buchachenko, JETP, 105: 593 (2007). Crossref
  11. V. A. Makara, L. P. Steblenko, A. M. Korduban, O. V. Matveeva, A. N. Kuryliuk, S. N. Naumenko, Yu. L. Kolchenko, and G. V. Vesna, Materials and Structures of Modern Electronics (Minsk: 2006), p. 189 (in Russian).
  12. V. A. Makara, M. A. Vasiliev, L. P. Steblenko, O. V. Koplak, A. N. Kuryliuk, Yu. L. Kobzar, and S. N. Naumenko, Semiconductors, 42: 1044 (2008). Crossref
  13. V. A. Makara, O. A. Korotchenkov, L. P. Steblenko, A. A. Podolyan, and D. V. Kalinichenko, Semiconductors, 47, No. 5: 652 (2013). Crossref
  14. A. Podolian, V. Kozachenko, A. Nadtochiy, N. Borovoy, and O. Korotchenkov, J. Appl. Phys., 107: 093706 (2010). Crossref
  15. A. B. Nadtochy, O. A. Korotchenkov, and V. V. Kuryliuk, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 83, No. 3: 84 (2013) (in Russian).
  16. V. S. Vavilov, Defects in Silicon and on Its Surface (Moscow: Nauka: 1990) (in Russian).

© 2013–2018 «ІМФ НАН України»