Взаимодействие между электронными и фононными подсистемами в дибориде гафния
С. Н. Сичкарь
Институт металлофизики им. Г.В. Курдюмова НАН Украины, бульв. Академика Вернадского, 36, 03680, ГСП, Киев-142, Украина
Получена: 18.11.2013. Скачать: PDF
Ab initio расчёт функций электрон-фононной связи выполнен в рамках метода ЛМТО с использованием полного потенциала. Низкое значение усреднённой константы электрон-фононного взаимодействия для HfB$_{2}$ $\lambda = 0,17$ свидетельствует, что нет оснований для возникновения сверхпроводящего состояния в этом соединении. Впервые были рассчитаны электрическое сопротивление и коэффициент анизотропии $\rho_{z}/ \rho_{x} = 1,079$ ($T = 300$ К) для диборида гафния. Было достигнуто хорошее согласие с экспериментальными данными для электрического сопротивления. В работе выполнен сравнительный анализ результатов расчётов фононных спектров методами ABINIT, Siesta, VASP и предложенным методом ЛМТО с детальным обсуждением полученных различий.
Ключевые слова: динамика решётки, электрон—фононное взаимодействие, фононный спектр, термодинамические свойства, электрическое сопротивление, дибориды.
URL: http://mfint.imp.kiev.ua/ru/abstract/v36/i03/0419.html
PACS: 63.20.dk, 71.15.-m, 71.15.Mb, 71.38.-k, 72.10.Di, 72.15.Eb