Взаємодія між електронними і фононними підсистемами в дибориді гафнію
С. М. Січкар
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України, бульв. Академіка Вернадського, 36, 03680, МСП, Київ-142, Україна
Отримано: 18.11.2013. Завантажити: PDF
Ab initio розрахунок функцій електрон-фононного зв’язку виконано за методом ЛМТО з використанням повного потенціалу. Низьке значення усередненої константи електрон-фононної взаємодії для HfB$_{2}$ $\lambda = 0,17$ свідчить, що немає підстав для виникнення надпровідного стану в цій сполуці. Вперше було розраховано електричний опір і коефіцієнт анізотропії $\rho_{z}/ \rho_{x} = 1,079$ ($Т = 300$ К) для дибориду гафнію. Було досягнуто добру узгодженість з експериментальними даними для електричного опору. У роботі виконано порівняльний аналіз результатів розрахунків фононних спектрів методами ABINIT, SIESTA, VASP та запропонованим методом ЛМТО з детальним обговоренням одержаних відмінностей.
Ключові слова: динаміка гратки, електрон—фононна взаємодія, фононний спектр, термодинамічні властивості, електричний опір, дибориди.
URL: http://mfint.imp.kiev.ua/ua/abstract/v36/i03/0419.html
PACS: 63.20.dk, 71.15.-m, 71.15.Mb, 71.38.-k, 72.10.Di, 72.15.Eb