Генерация дефектов поверхности Al(111) под воздействием ионов Ar$^{+}$ низкой энергии
М. А. Васильев$^{1}$, И. Н. Макеева$^{1}$, В. А. Тиньков$^{1}$, С. М. Волошко$^{2}$
$^{1}$Институт металлофизики им. Г.В. Курдюмова НАН Украины, бульв. Академика Вернадского, 36, 03680, ГСП, Киев-142, Украина
$^{2}$Национальный технический университет Украины «КПИ», пр. Победы, 37, 03056 Киев, Украина
Получена: 20.06.2014. Скачать: PDF
В работе детально изучена дозовая зависимость генерации и отжига точечных дефектов, индуцированных бомбардировкой поверхности монокристалла Al(111) ионами Ar$^{+}$ с энергией 600 эВ в сверхвысоком вакууме с помощью метода дифракции медленных электронов. Показана возможность анализа изменения интенсивности дифракционных рефлексов медленных электронов непосредственно в процессе ионной бомбардировки, что исключает эффект отжига при последующей выдержке при комнатной температуре. На основе анализа дифракционных рефлексов получены значения энергии активации точечных дефектов.
Ключевые слова: точеные дефекты, поверхность, монокристалл, ионная бомбардировка, дифракция медленных электронов.
URL: http://mfint.imp.kiev.ua/ru/abstract/v36/i10/1371.html
PACS: 61.05.jh, 61.72.Cc, 61.72.Dd, 61.80.Jh, 61.82.Bg, 81.40.Ef, 81.40.Wx