Ґенерація дефектів поверхні Al(111) під впливом йонів Ar$^{+}$ низької енергії
М. О. Васильєв$^{1}$, І. М. Макеєва$^{1}$, В. О. Тіньков$^{1}$, С. М. Волошко$^{2}$
$^{1}$Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України, бульв. Академіка Вернадського, 36, 03680, МСП, Київ-142, Україна
$^{2}$Національний технічний університет України «КПІ», пр. Перемоги, 37, 03056 Київ, Україна
Отримано: 20.06.2014. Завантажити: PDF
У роботі детально вивчено дозову залежність ґенерації та відпалу точкових дефектів, індукованих бомбуванням поверхні монокристалу Al(111) йонами Ar$^{+}$ з енергією 600 еВ у надвисокому вакуумі за допомогою методи дифракції повільних електронів. Показано можливість аналізи зміни інтенсивности дифракційних рефлексів повільних електронів безпосередньо в процесі йонного бомбування, що виключає ефект відпалу при подальшій витримці за кімнатної температури. На основі аналізи дифракційних рефлексів одержано значення енергії активації точкових дефектів.
Ключові слова: точкові дефекти, поверхня, монокристал, йонне бомбування, дифракція повільних електронів.
URL: http://mfint.imp.kiev.ua/ua/abstract/v36/i10/1371.html
PACS: 61.05.jh, 61.72.Cc, 61.72.Dd, 61.80.Jh, 61.82.Bg, 81.40.Ef, 81.40.Wx