Представлены результаты систематических исследований структурных и механических характеристик поверхности гетероэпитаксиальной структуры кадмий—ртуть—теллур (КРТ), полученной методом ионной имплантации Ag$^{+}$. Методом рентгеновской дифрактометрии изучались характеристики нарушенного слоя гетероструктур Ag$_{2}$O/CdHgTe/CdZnTe. Было определено, что примесь (серебро) располагается преимущественно в приповерхностной области эпитаксиального слоя толщиной $\cong$ 0,1 мкм, причём максимального значения $\cong$ 10$^{24}$ м$^{-3}$ концентрация ионов достигает на глубине $\cong$ 0,05 мкм. Обсуждается природа и роль механического напряжения легируемого слоя и влияние деформаций на перераспределение введённой примеси и дефектов. Рассматривается генерация механических напряжений в твёрдом растворе CdHgTe, возникающих при имплантационном введении примесных ионов серебра, как источник трансформации дефектно-примесной структуры и изменения микроструктуры поверхности гетероэпитаксиальной плёнки узкозонного полупроводника. Установлено, что эффект деформационного втягивания примеси за счёт дилатационного эффекта может играть заметную роль при формировании профиля распределения примеси. С применением программного пакета TRIM_2008 были рассчитаны значения концентрации имплантата $C(z)$, которые использовались для дальнейшего расчёта максимальных по величине механических напряжений. Также определены изменения относительной микротвёрдости $\eta$ исследуемых образцов. Анализ структурных изменений приповерхностного слоя имплантированных серебром образцов КРТ выполнялся по XRD-методике в скользящей конфигурации (GI XRD) при угле скольжения 1°. Для данного материала в дифракционную картину (GI XRD) дают вклад приповерхностные области на глубине до 400 нм. Для определения размеров дефектов было построено и проанализировано распределение интенсивности диффузного рассеяния в направлении $q_{x}$. Для образца после имплантации серебром происходит сужение области хуаневского рассеяния по сравнению с исходным образцом.