Представлено результати систематичних досліджень впливу структурних змін на механічні характеристики поверхні гетероепітаксійної структури кадмій—ртуть—телур (КРТ), одержаної методою йонної імплантації Ag$^{+}$. Методою Рентґенової дифрактометрії вивчаються характеристики порушеного шару гетероструктур Ag$_{2}$O/CdHgTe/CdZnTe. Визначено, що домішка (срібло) розташовується переважно в приповерхневій області епітаксійного шару завтовшки у $\cong$ 0,1 мкм, причому максимального значення у $\cong$ 10$^{24}$ м$^{-3}$ концентрація йонів досягає на глибині у $\cong$ 0,05 мкм. Обговорюється природа і роль механічної напруги леґованого шару і вплив деформацій на перерозподіл введеної домішки і дефектів. Розглядається ґенерація механічних напружень у твердому розчині CdHgTe, що виникають при імплантаційному введенні домішкових йонів срібла, як джерело трансформації дефектно-домішкової структури та зміни мікроструктури поверхні гетероепітаксійної плівки вузькозонного напівпровідника. Встановлено, що ефект деформаційного втягування домішки за рахунок дилятаційного ефекту може відігравати помітну роль при формуванні профілю розподілу домішки. Із застосуванням програмного пакета TRIM_2008 були розраховані значення концентрації імплантату $С(z)$, які використовувалися для подальшого розрахунку максимальних за величиною механічних напружень. Також визначено зміни відносної мікротвердости $\eta$ досліджуваних зразків. Аналіз структурних змін приповерхневого шару імплантованих сріблом зразків КРТ виконувався XRD-методикою у ковзній конфіґурації (GI XRD) при куті ковзання у 1°. Для даного матеріялу в дифракційну картину (GI XRD) дають внесок приповерхневі області на глибині до 400 нм. Для визначення розмірів дефектів було побудовано та проаналізовано розподіл інтенсивности дифузного розсіяння в напрямку $q_{х}$. Для зразка після імплантації сріблом відбувається звуження области Хуанєвого розсіяння порівняно з вихідним зразком.