Изучено влияние сегрегации углерода на нагретой в сверхвысоком вакууме атомно-чистой поверхности Мо(110) на отражение медленных (0—50 эВ) электронов методом спектроскопии полного тока (СПТ) и работу выхода $\varphi$ методом контактной разности потенциалов. В процессе отжига при $Т_{отж}$ = 1400—2000 К величина $\varphi$ плавно снижается на $\Delta \varphi$ = 0,18 эВ (до 4,82 $\pm$ 0,02 эВ), что сопровождается монотонным сдвигом двух основных минимумов в СПТ навстречу друг другу на $\Delta E$ = 1,2 эВ до значений $Е$ = 4,8 и 12,5 эВ, характерных для возбуждения в графене плазмонов в $\pi$-зоне проводимости и ($\pi + \sigma$)-валентной зоне соответственно. Минимумы свидетельствуют об эмиссии электронов в обратном направлении; их сдвиги вызваны смещением энергии $\pi$-зоны проводимости вверх, а $\sigma$-валентной зоны – вниз. Отжиг при $Т_{отж}$ = 2200—2700 К не изменяет значение $\varphi$ и все параметры СПТ, а состояние такой поверхности становится термодинамически стабильным для графена на Мо(110). Последний увеличивает число пиков отражения электронов от трёх до пяти и снижает в несколько раз коэффициент их отражения, который спадает практически до нуля при повышении $Е$.