Вивчено вплив сеґреґації вуглецю на нагрітій у надвисокому вакуумі атомово-чистій поверхні Mo(110) на відбивання повільних (0—50 еВ) електронів методою спектроскопії повного струму (СПС) і роботу виходу $\varphi$ методою контактної ріжниці потенціялів (КРП). У ході відпалу при $Т_{відп}$ = 1400—2000 К величина $\varphi$ плавно знижується на $\Delta \varphi$ = 0,18 еВ (до 4,82 $\pm$ 0,02 еВ), що супроводжується монотонним зсувом двох основних мінімумів у СПС назустріч один одному на $\Delta E$ = 1,2 еВ до значень $Е$ = 4,8 и 12,5 еВ, характерних для збудження у графені плазмонів у $\pi$-зоні провідности та ($\pi + \sigma$)-валентній зоні відповідно. Мінімуми свідчать про емісію електронів у зворотньому напрямку; їхні зсуви спричинено зміщенням енергії $\pi$-зони провідности вгору, а $\sigma$-валентної зони – вниз. Відпал при $Т_{відп}$ = 2200—2700 К не змінює значення $\varphi$ і всі параметри СПС, а стан такої поверхні стає термодинамічно стабільним для графену на Мо(110). Останній збільшує кількість піків відбивання електронів від трьох до п’ятьох і понижує в декілька разів коефіцієнт їхнього відбивання, який спадає практично до нуля з підвищенням $Е$.