Переходы Джозефсона с повышенным значением характеристического напряжения

В. Е. Шатерник$^{1}$, А. П. Шаповалов$^{2}$, А. В. Шатерник$^{2}$, Т. А. Прихна$^{2}$

$^{1}$Институт металлофизики им. Г.В. Курдюмова НАН Украины, бульв. Академика Вернадского, 36, 03680, ГСП, Киев-142, Украина
$^{2}$Институт сверхтвёрдых материалов им. В.Н. Бакуля НАН Украины, ул. Автозаводская, 2, 04074 Киев, Украина

Получена: 21.01.2016. Скачать: PDF

С использованием масочной технологии путём вакуумного осаждения были созданы и исследованы близостные MgB$_{2}$—Al—Al$_{2}$O$_{3}$—MoRe переходы и резонансно-перколяционные MgB$_{2}$—Si(W)—MoRe переходы Джозефсона на основе тонких плёнок диборида магния MgB$_{2}$. Повышенные значения характеристического напряжения I$_{C}$R$_{N}$ = 30—38 мВ созданных переходов Джозефсона MgB$_{2}$—Si(W)—MoRe позволяют улучшить чувствительность двухконтактных СКВИДов в несколько раз за счёт увеличения коэффициента преобразования магнитный поток—напряжение.

Ключевые слова: сверхпроводимость, диборид магния, переход Джозефсона, двухконтактный СКВИД, тонкие плёнки, коэффициент преобразования магнитный поток—напряжение.

URL: http://mfint.imp.kiev.ua/ru/abstract/v38/i03/0319.html

PACS: 73.23.-b, 73.40.Gk, 73.40.Ns, 74.50.+r, 74.70.Ad, 85.25.Am, 85.25.Cp, 85.25.Dq


ЦИТИРОВАННАЯ ЛИТЕРАТУРА
  1. K. Chen, D. Cunnane, Y. Shen, X. X. Xi, A. Kleinsasser, and J. Rowell, Appl. Phys. Lett., 100, No. 12: 122601 (2012). Crossref
  2. H. Shimakage and Z. Wang, J. Appl. Phys., 105, No. 1: 013918 (2009). Crossref
  3. H. Shimakage, K. Tsujimoto, Z. Wang, and M. Tonouchi, Appl. Phys. Lett., 86, No. 7: 072512 (2005). Crossref
  4. K. Ueda, S. Saito, K. Semba, T. Makimoto, and M. Naito, Appl. Phys. Lett., 86, No. 17: 172502 (2005). Crossref
  5. H. Shim, K. Yoon, J. Moodera, and J. Hong, Appl. Phys. Lett., 90, No. 21: 212509 (2007). Crossref
  6. T. Kim and J. Moodera, J. Appl. Phys., 100, No. 11: 113904 (2006). Crossref
  7. M. Costache and J. Moodera , Appl. Phys. Lett., 96, No. 8: 082508 (2010). Crossref
  8. K. Elsabawy, RSC Advances, 1, No. 6: 964 (2011). Crossref
  9. R. Singh, R. Gandikota, J. Kim, N. Newman, and J. Rowell, Appl. Phys. Lett., 89, No. 4: 042512 (2006). Crossref
  10. E. Galan, D. Cunnane, X. X. Xi, and K. Chen, Supercond. Sci. Technol., 27, No. 6: 065015 (2014). Crossref
  11. T. Melbourne, D. Cunnane, E. Galan, X. X. Xi, and K. Chen, IEEE Transactions, Applied Superconductivity, 25, No. 3: 1 (2014). Crossref
  12. The SQUID Handbook (Eds. J. Clarke and A. I. Braginski) (Weinheim: WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA: 2004), vol. I.
  13. Superconductors—Properties, Technology, and Applications (Ed. Y. Grigorashvili) (ISBN 978-953-51-0545-9, Published: April 20, 2012 under CC BY 3.0 license).
  14. D. Cunnane, E. Galan, K. Chen, and X. X. Xi, Appl. Phys. Lett. , 103, No. 21: 212603 (2013). Crossref
  15. S. Cybart, T. Wong, E. Cho, J. Beeman, C. Yung, B. Moeckly, and R. Dynes, Appl. Phys. Lett., 104, No. 18: 182604 (2014). Crossref
  16. D. Cunnane, N. Acharya, M. Wolak, X. X. Xi, and B. Karasik, Proc. of the 26th International Symposium on Space Terahertz Technology (ISSTT 2015) (March 16–18, 2015) (Cambridge, MA, USA: ISSTT Conf. Publ.: 2015), p. M2–2.
  17. V. Shaternik, M. Belogolovskii, T. Prikhna, A. Shapovalov, O. Prokopenko, D. Jabko, O. Kudrja, O. Suvorov, and V. Noskov, Physics Procedia, 36: 94 (2012). Crossref
  18. V. Shaternik, A. Shapovalov, M. Belogolovskii, O. Suvorov, S. Döring, S. Schmidt, and P. Seidel, Material Research Express, 1, No. 2: 026001 (2014). Crossref
  19. V. Shaternik, A. Shapovalov, A. Suvorov, S. Doring, S. Schmidt, and P. Seidel, Proc. of 8th International Kharkov Symposium on Physics and Engineering of Microwaves, Millimeter and Submillimeter Waves (MSMW 2013) (June 23–28, 2013) (Kharkov: IEEE Conf. Publ.: 2013), p. 655.
  20. I. M. Lifshitz and V. Ya. Kirpichenkov, ZhETF, 77, No. 3: 989 (1979) (in Russian).
  21. G. E. Blonder, M. Tinkham, and T. M. Klapwijk, Phys. Rev. B, 25, No. 7: 4515 (1982). Crossref