Переходы Джозефсона с повышенным значением характеристического напряжения
В. Е. Шатерник1, А. П. Шаповалов2, А. В. Шатерник2, Т. А. Прихна2
1Институт металлофизики им. Г.В. Курдюмова НАН Украины, бульв. Академика Вернадского, 36, 03680, ГСП, Киев-142, Украина
2Институт сверхтвёрдых материалов им. В.Н. Бакуля НАН Украины, ул. Автозаводская, 2, 04074 Киев, Украина
Получена: 21.01.2016. Скачать: PDF
С использованием масочной технологии путём вакуумного осаждения были созданы и исследованы близостные MgB2—Al—Al2O3—MoRe переходы и резонансно-перколяционные MgB2—Si(W)—MoRe переходы Джозефсона на основе тонких плёнок диборида магния MgB2. Повышенные значения характеристического напряжения ICRN = 30—38 мВ созданных переходов Джозефсона MgB2—Si(W)—MoRe позволяют улучшить чувствительность двухконтактных СКВИДов в несколько раз за счёт увеличения коэффициента преобразования магнитный поток—напряжение.
Ключевые слова: сверхпроводимость, диборид магния, переход Джозефсона, двухконтактный СКВИД, тонкие плёнки, коэффициент преобразования магнитный поток—напряжение.
URL: http://mfint.imp.kiev.ua/ru/abstract/v38/i03/0319.html
PACS: 73.23.-b, 73.40.Gk, 73.40.Ns, 74.50.+r, 74.70.Ad, 85.25.Am, 85.25.Cp, 85.25.Dq