Переходи Джозефсона з підвищеним значенням характеристичної напруги

В. Є. Шатерник$^{1}$, А. П. Шаповалов$^{2}$, А. В. Шатерник$^{2}$, Т. А. Пріхна$^{2}$

$^{1}$Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України, бульв. Академіка Вернадського, 36, 03680, МСП, Київ-142, Україна
$^{2}$Інститут надтвердих матеріалів імені В.М. Бакуля НАН України, вул. Автозаводська, 2, 04074 Київ, Україна

Отримано: 21.01.2016. Завантажити: PDF

З використанням маскової технології шляхом вакуумного осадження було створено та досліджено Джозефсонові близькісні MgB$_{2}$—Al—Al$_{2}$O$_{3}$—MoRe переходи та резонансно-перколяційні MgB$_{2}$—Si(W)—MoRe переходи на основі тонких плівок дибориду магнію MgB$_{2}$. Підвищені значення характеристичної напруги I$_{C}$R$_{N}$ = 30—38 мВ створених Джозефсонових переходів MgB$_{2}$—Si(W)—MoRe уможливлюють поліпшити чутливість двоконтактних НКВІДів у декілька разів за рахунок збільшення коефіцієнта перетворення магнітний потік—напруга.

Ключові слова: надпровідність, диборид магнію, Джозефсонів перехід, двоконтактний НКВІД, тонкі плівки, коефіцієнт перетворення магнітний потік—напруга.

URL: http://mfint.imp.kiev.ua/ua/abstract/v38/i03/0319.html

PACS: 73.23.-b, 73.40.Gk, 73.40.Ns, 74.50.+r, 74.70.Ad, 85.25.Am, 85.25.Cp, 85.25.Dq


ЦИТОВАНА ЛІТЕРАТУРА
  1. K. Chen, D. Cunnane, Y. Shen, X. X. Xi, A. Kleinsasser, and J. Rowell, Appl. Phys. Lett., 100, No. 12: 122601 (2012). Crossref
  2. H. Shimakage and Z. Wang, J. Appl. Phys., 105, No. 1: 013918 (2009). Crossref
  3. H. Shimakage, K. Tsujimoto, Z. Wang, and M. Tonouchi, Appl. Phys. Lett., 86, No. 7: 072512 (2005). Crossref
  4. K. Ueda, S. Saito, K. Semba, T. Makimoto, and M. Naito, Appl. Phys. Lett., 86, No. 17: 172502 (2005). Crossref
  5. H. Shim, K. Yoon, J. Moodera, and J. Hong, Appl. Phys. Lett., 90, No. 21: 212509 (2007). Crossref
  6. T. Kim and J. Moodera, J. Appl. Phys., 100, No. 11: 113904 (2006). Crossref
  7. M. Costache and J. Moodera , Appl. Phys. Lett., 96, No. 8: 082508 (2010). Crossref
  8. K. Elsabawy, RSC Advances, 1, No. 6: 964 (2011). Crossref
  9. R. Singh, R. Gandikota, J. Kim, N. Newman, and J. Rowell, Appl. Phys. Lett., 89, No. 4: 042512 (2006). Crossref
  10. E. Galan, D. Cunnane, X. X. Xi, and K. Chen, Supercond. Sci. Technol., 27, No. 6: 065015 (2014). Crossref
  11. T. Melbourne, D. Cunnane, E. Galan, X. X. Xi, and K. Chen, IEEE Transactions, Applied Superconductivity, 25, No. 3: 1 (2014). Crossref
  12. The SQUID Handbook (Eds. J. Clarke and A. I. Braginski) (Weinheim: WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA: 2004), vol. I.
  13. Superconductors—Properties, Technology, and Applications (Ed. Y. Grigorashvili) (ISBN 978-953-51-0545-9, Published: April 20, 2012 under CC BY 3.0 license).
  14. D. Cunnane, E. Galan, K. Chen, and X. X. Xi, Appl. Phys. Lett. , 103, No. 21: 212603 (2013). Crossref
  15. S. Cybart, T. Wong, E. Cho, J. Beeman, C. Yung, B. Moeckly, and R. Dynes, Appl. Phys. Lett., 104, No. 18: 182604 (2014). Crossref
  16. D. Cunnane, N. Acharya, M. Wolak, X. X. Xi, and B. Karasik, Proc. of the 26th International Symposium on Space Terahertz Technology (ISSTT 2015) (March 16–18, 2015) (Cambridge, MA, USA: ISSTT Conf. Publ.: 2015), p. M2–2.
  17. V. Shaternik, M. Belogolovskii, T. Prikhna, A. Shapovalov, O. Prokopenko, D. Jabko, O. Kudrja, O. Suvorov, and V. Noskov, Physics Procedia, 36: 94 (2012). Crossref
  18. V. Shaternik, A. Shapovalov, M. Belogolovskii, O. Suvorov, S. Döring, S. Schmidt, and P. Seidel, Material Research Express, 1, No. 2: 026001 (2014). Crossref
  19. V. Shaternik, A. Shapovalov, A. Suvorov, S. Doring, S. Schmidt, and P. Seidel, Proc. of 8th International Kharkov Symposium on Physics and Engineering of Microwaves, Millimeter and Submillimeter Waves (MSMW 2013) (June 23–28, 2013) (Kharkov: IEEE Conf. Publ.: 2013), p. 655.
  20. I. M. Lifshitz and V. Ya. Kirpichenkov, ZhETF, 77, No. 3: 989 (1979) (in Russian).
  21. G. E. Blonder, M. Tinkham, and T. M. Klapwijk, Phys. Rev. B, 25, No. 7: 4515 (1982). Crossref