З використанням маскової технології шляхом вакуумного осадження було створено та досліджено Джозефсонові близькісні MgB$_{2}$—Al—Al$_{2}$O$_{3}$—MoRe переходи та резонансно-перколяційні MgB$_{2}$—Si(W)—MoRe переходи на основі тонких плівок дибориду магнію MgB$_{2}$. Підвищені значення характеристичної напруги I$_{C}$R$_{N}$ = 30—38 мВ створених Джозефсонових переходів MgB$_{2}$—Si(W)—MoRe уможливлюють поліпшити чутливість двоконтактних НКВІДів у декілька разів за рахунок збільшення коефіцієнта перетворення магнітний потік—напруга.