Эволюция структуры многослойных рентгеновских зеркал Si/Mg$_{2}$Si при термическом воздействии

Л. Е. Конотопский, И. А. Копылец, В. А. Севрюкова, Е. Н. Зубарев, В. В. Кондратенко

Национальный технический университет «Харьковский политехнический институт», ул. Кирпичёва, 21, 61002 Харьков, Украина

Получена: 29.04.2016. Скачать: PDF

Методами рентгеновской дифрактометрии и просвечивающей электронной микроскопии поперечных срезов исследована структура многослойного рентгеновского зеркала (МРЗ) Si/Mg$_{2}$Si в исходном состоянии и после термического отжига в интервале температур 50—750°C. В исходном состоянии в МРЗ Si/Mg$_{2}$Si слои Si – аморфные. Слои Mg$_{2}$Si представляют собой аморфную матрицу с нанокристаллическими включениями Mg$_{2}$Si в метастабильной гексагональной модификации. При отжиге до 450°C наблюдается кристаллизация слоёв Mg$_{2}$Si, что сопровождается увеличением плотности силицида и, соответственно, уменьшением периода на 7,3%. Дальнейший отжиг МРЗ Si/Mg$_{2}$Si приводит к кристаллизации слоёв Si в интервале температур 500—600°C, в результате чего период рентгеновского зеркала уменьшается на 6,36%.

Ключевые слова: многослойное рентгеновское зеркало, силицид магния, рентгеновский фазовый анализ, электронная микродифракция.

URL: http://mfint.imp.kiev.ua/ru/abstract/v38/i06/0825.html

PACS: 07.85.Fv, 61.05.cp, 61.05.jm, 68.35.Ct, 68.37.Lp, 68.60.Dv, 68.65.Ac, 81.40.Ef


ЦИТИРОВАННАЯ ЛИТЕРАТУРА
  1. E. Spiller, Appl. Phys. Lett., 20, No. 1: 365 (1972). Crossref
  2. Y. Platonov and K. Shimizu, Magnesium Silicide-Based Multilayer X-Ray Fluorescence Analyzers: Patent US 20090225937 A1.
  3. I. A. Zhitnik, S. V. Kuzin, A. M. Urnov, I. L. Beigman, S. A. Bozhenkov, and I. Yu. Tolstikhina, Astron. Lett., 31, No. 1: 37 (2005). Crossref
  4. http://sci-progs.com
  5. T. Makino, K. Kamoshida, and E. Yamamoto, Japanese J. Appl. Phys., 23, No. 10: 1304 (1984). Crossref
  6. J. S. Custer, M. O. Thompson, D. C. Jacobson, J. M. Poate, S. Roorda, W. C. Sinke, and F. Spaepen, Appl. Phys. Lett., 64, No. 1: 437 (1994). Crossref
  7. T. Peun, J. Lauterjung, and E. Hinze, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B, 97: 483 (1995). Crossref
  8. P. Cannon and E. T. Conlin, Science, 145, No. 3631: 487 (1964). Crossref
  9. J. Hao, B. Zou, P. Zhu, C. Gao, Y. Liu, K. Wang, W. Lei, and Q. Cui, Solid State Commun., 149, No. 17: 689 (2009). Crossref
  10. J. A. Thornton, J. Tabock, and D. W. Hoffman, Thin Solid Films, 64, No. 1: 111 (1979). Crossref
  11. V. Yu. Kulikovskyi, V. Vorlichek, P. Bogach, M. Strainaynek, P. Chtvertlik, A. V. Kurdyumov, and V. F. Gorban, Nanostrukturnoe Materialovedenie, No. 1: 42 (2008) (in Russian).
  12. T. D. Nguyen and T. W. Barbee, Proc. SPIE, 3444: 543 (1998). Crossref
  13. B. G. Cohen and M. W. Focht, Solid State Electron., 13, No. 2: 105 (1970). Crossref
  14. T. Yamaguchi, T. Serikawa, M. Henmi, H. Oginuma, and K. Kondoh, Mater. Trans., 47, No. 4: 1026 (2006). Crossref
  15. T. Serikawa, M. Henmi, and K. Kondoh, J. Vac. Sci. Technol. A, 22, No. 5: 1971 (2004). Crossref
  16. S. A. Dotsenko, A. S. Gouralnik, N. G. Galkin, K. N. Galkin, A. K. Gutakovski, and M. A. Neklyudova, Mater. Chem. Phys., 148, No. 3: 1078 (2014). Crossref