Методами рентґенівської дифрактометрії та просвітлювальної електронної мікроскопії поперечних зрізів досліджено структуру багатошарового рентґенівського дзеркала (БРД) Si/Mg$_{2}$Si у вихідному стані та після термічного відпалу в інтервалі температур 50—750°C. У вихідному стані в БРД Si/Mg$_{2}$Si шари Si є аморфними. Шари Mg$_{2}$Si являють собою аморфну матрицю з нанокристалічними включеннями Mg$_{2}$Si у метастабільній гексагональній модифікації. При відпалі до 450°C спостерігається кристалізація шарів Mg$_{2}$Si, що супроводжується збільшенням густини силіциду і, відповідно, зменшенням періоду на 7,3%. Подальший відпал БРД Si/Mg$_{2}$Si приводить до кристалізації шарів Si в інтервалі температур 500—600°C, в результаті чого період рентґенівського дзеркала зменшується на 6,36%.