Электронная структура зон и энергия образования дефектов кристалла TlGaSe$_{2}$ изучались с использованием метода функционала плотности в приближении локальной плотности. Полученные из расчётов электронного спектра кристалла в LDA-приближении результаты показали, что дно зоны проводимости и потолок валентной зоны расположены в центре зоны Бриллюэна (в симметрийной точке $\Gamma$) и вдоль симметрийной линии $\Gamma$–Y соответственно. Энергия образования дефекта вычисляется как разность между полными энергиями стабильной и оптимизированной дефектной структур при постоянном объёме. Расчёты были выполнены для пяти зарядовых состояний: +2, +1, 0, -1, -2. Были установлены энергии формирования вакансий $V_{\textrm{Tl}}$, $V_{\textrm{Ga}}$, $V_{\textrm{Se}}$ в кристалле TlGaSe$_{2}$, состоящем из 63 атомов, для различных зарядовых состояний в зависимости от уровня энергии Ферми. Вычисленные оптические свойства показывают, что оптическая энергетическая щель увеличивается из-за вакансий Se и Tl.