Електронна структура зон та енергія утворення дефектів кристалу TlGaSe$_{2}$ вивчалися з використанням методи функціонала густини в наближенні локальної густини. Одержані з розрахунків електронного спектра кристалу у LDA-наближені результати показали, що дно зони провідности та стеля валентної зони розташовані в центрі Бріллюенової зони (у симетрійній точці $\Gamma$) та вздовж симетрійної лінії $\Gamma$–Y відповідно. Енергія утворення дефекту обчислюється як ріжниця між повними енергіями стабільної й оптимізованої дефектної структур при постійному об’ємі. Розрахунки було виконано для п’ятьох зарядових станів: +2, +1, 0, -1, -2. Було встановлено енергії формування вакансій $V_{\textrm{Tl}}$, $V_{\textrm{Ga}}$, $V_{\textrm{Se}}$ у кристалі TlGaSe$_{2}$, який складається з 63 атомів, для різних зарядових станів, залежно від рівня енергії Фермі. Обчислені оптичні властивості показують, що оптична енергетична щілина збільшується через вакансії Se та Tl.