Частотные характеристики мемристорных структур на основе сложных оксидов переходных металлов
В. В. Шамаев1, Е. С. Житлухина2,3
1Донецкий национальный технический университет, пл. Шибанкова, 2, 85300 Покровск, Украина
2Донецкий национальный университет имени Васыля Стуса, ул. 600-летия, 21, 21021 Винница, Украина
3Донецкий физико-технический институт им. А.А. Галкина НАН Украины, просп. Науки, 46, 03028 Киев, Украина
Получена: 05.04.2017. Скачать: PDF
Проанализирована частотная зависимость двузначных вольт-амперных характеристик мемристорных структур, образованных металлическим инжектором и плёнкой сложного оксида переходных металлов. Предложенная теоретическая модель основана на предположении о диффузии кислородных вакансий, локальная концентрация которых полностью определяет электрические характеристики металлооксидного соединения. Показано, что с увеличением частоты переменного тока, пропускаемого через данный контакт, отношение его максимального сопротивления к минимальному падает, в то время как влияние процесса релаксации вакансионной подсистемы к исходному состоянию не является существенным в случае, когда характерное время релаксации заметно превосходит период переменного тока.
Ключевые слова: мемристор, кислородные вакансии, гистерезис, частотный эффект, влияние релаксации.
URL: http://mfint.imp.kiev.ua/ru/abstract/v39/i06/0733.html
PACS: 61.72.jd, 62.23.St, 68.47.Gh, 73.40.Ns, 84.32.Dd, 84.32.Ff, 85.25.Hv