Проаналізовано частотну залежність двозначних вольт-амперних характеристик мемристорних структур, утворених металевим інжектором і плівкою складного оксиду перехідних металів. Запропонований теоретичний модель ґрунтується на припущенні про дифузію Оксиґенових вакансій, локальна концентрація яких повністю визначає електричні характеристики металооксидної сполуки. Показано, що зі збільшенням частоти змінного струму, що пропускається через даний контакт, відношення його максимального опору до мінімального падає, в той час як вплив процесу релаксації вакансійної підсистеми до вихідного стану не є істотним у випадку, коли характерний час релаксації помітно перевершує період змінного струму.