Химический состав и морфология поверхности ионотронных наноструктур, сформированных на основе 2$D$-слоистых кристаллов InSe и ионной соли RbNO$_3$
А. П. Бахтинов$^{1}$, В. Н. Водопьянов$^{1}$, В. И. Иванов$^{1}$, В. Л. Карбовский$^{2}$, З. Д. Ковалюк$^{1}$, В. В. Нетяга$^{1}$, О. С. Литвин$^{3,4}$
$^{1}$Институт проблем материаловедения им. И. Н. Францевича НАН Украины, Черновицкое отделение, ул. Вильде, 5, 58001 Черновцы, Украина
$^{2}$Институт металлофизики им. Г.В. Курдюмова НАН Украины, бульв. Академика Вернадского, 36, 03142 Киев, Украина
$^{3}$Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарьова НАН Украины, просп. Науки, 41, 03028 Киев, Украина
$^{4}$Киевский университет им. Бориса Гринченко, ул. Бульварно-Кудрявская, 18/2, 04053 Киев, Украина
Получена: 07.10.2017. Скачать: PDF
Показано, что объёмные вертикальные ионотронные структуры могут быть сформированы путём внедрения расплава ионной соли RbNO$_3$ между слоями (0001) кристалла InSe. Методами рентгеновской электронной спектроскопии и атомно-силовой микроскопии исследованы химический состав и морфология таких структур. Установлено, что они состоят из ультратонких 2$D$-слоёв InSe, которые разделены слоями твёрдого нанокомпозитного электролита «ионная соль–In$_2$O$_3$». В процессе самоорганизации этих структур при температурах расплава, превышающих температуру разложения RbNO$_3$ на нитриды и нитраты, происходит окисление гетерограниц «ионная соль–InSe» и формирование наноструктур материала с высокой ионной проводимостью. Они имеют форму наноразмерных колец и характеризуются высокой латеральной плотностью $\sim 10^{9}–10^{10}$ см$^{-2}$. Установлено, что такие наноструктуры растут в плоскостях (0001)InSe, которые размещаются периодически на расстоянии порядка десятков нанометров вдоль кристаллографической оси $C$ слоистого кристалла.
Ключевые слова: InSe, RbNO$_3$, 2$D$-слои, ионотронные структуры, ионотронные нанокомпозитные материалы.
URL: http://mfint.imp.kiev.ua/ru/abstract/v39/i11/1573.html
PACS: 68.37.Ps, 68.55.J-, 71.20.Tx, 72.40.+w, 73.40.Mr, 81.05.Zx, 81.16.Dn, 85.30.Tv