Хемічний склад і морфологія поверхні йонотронних наноструктур, сформованих на основі 2D-шаруватих кристалів InSe і йонної солі RbNO3
А. П. Бахтінов1, В. М. Водоп’янов1, В. І. Іванов1, В. Л. Карбівський2, З. Д. Ковалюк1, В. В. Нетяга1, О. С. Литвин3,4
1Інститут проблем матеріалознавства ім. І. М. Францевича НАН України, Чернівецьке відділення, вул. Вільде, 5, 58001 Чернівці, Україна
2Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України, бульв. Академіка Вернадського, 36, 03142 Київ, Україна
3Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, просп. Науки, 41, 03028 Київ, Україна
4Київський університет ім. Бориса Грінченка, вул. Бульварно-Кудрявська, 18/2, 04053 Київ, Україна
Отримано: 07.10.2017. Завантажити: PDF
Показано, що об’ємні вертикальні йонотронні структури можуть бути сформовані шляхом втілення розтопу йонної солі RbNO3 між шарами (0001) кристалу InSe. Методами рентґенівської електронної спектроскопії і атомно-силової мікроскопії досліджено хемічний склад і морфологію цих структур. Встановлено, що вони складаються з ультратонких 2D-шарів InSe, яких розділено шарами твердого нанокомпозитного електроліту «йонна сіль–In2O3». В процесі самоорганізації таких структур при температурах розтопу, які перевищують температуру розпаду RbNO3 на нітриди та нітрати, окиснюються гетеромежі «йонна сіль–InSe» і формуються наноструктури матеріялу з високою йонною провідністю. Вони мають форму нанорозмірних кілець і характеризуються високою латеральною густиною ∼109–1010 см−2. Встановлено, що ці наноструктури ростуть у площинах (0001)InSe, які розташовані періодично на віддалі порядку десятків нанометрів вздовж кристалографічної осі C шаруватого кристалу.
Ключові слова: InSe, RbNO3, 2D-шари, йонотронні структури, йонотронні нанокомпозитні матеріяли.
URL: http://mfint.imp.kiev.ua/ua/abstract/v39/i11/1573.html
PACS: 68.37.Ps, 68.55.J-, 71.20.Tx, 72.40.+w, 73.40.Mr, 81.05.Zx, 81.16.Dn, 85.30.Tv