Обратимые эффекты нестабильности в туннельных контактах манганит–металл

А. И. Дьяченко$^{1}$, В. Ю. Таренков$^{2}$, О. А. Болясова$^{2}$, В. Н. Криворучко$^{2}$

$^{1}$Институт металлофизики им. Г.В. Курдюмова НАН Украины, бульв. Академика Вернадского, 36, 03142 Киев, Украина
$^{2}$Донецкий физико-технический институт им. А.А. Галкина НАН Украины, просп. Науки, 46, 03028 Киев, Украина

Получена: 28.12.2017. Скачать: PDF

В работе исследуются эффекты электронной нестабильности поверхности манганитов, проявляющиеся в нелинейных, с резким нарастанием тока, вольт-амперных характеристиках контактов манганита с нормальным металлом. На примере контактов манганита La$_{0,65}$Ca$_{0,35}$MnO$_3$ с серебром продемонстрировано, что проявление этих эффектов в транспортных характеристиках наблюдается в определённом интервале энергий. Эти нелинейности транспортных свойств не могут быть обусловлены тепловыми эффектами и, по всей вероятности, связаны со скачками ионов кислорода в области туннельного барьера, стимулированными туннельным током и электрическим полем, приложенным к контакту.

Ключевые слова: туннельные контакты, эффекты нестабильности, манганиты, наноструктуры, кислородные вакансии в барьере.

URL: http://mfint.imp.kiev.ua/ru/abstract/v40/i03/0291.html

PACS: 73.20.-r, 73.23.-b, 73.40.Rw, 73.63.Rt, 74.72.Hs, 74.78.Na, 75.47.Lx


ЦИТИРОВАННАЯ ЛИТЕРАТУРА
  1. P. P. Chawan and P. Gupta, International Journal of Electronics, Electrical and Computational System, 6, Iss. 5: 1L6F7M (2017).
  2. Y. B. Nian, J. Strozier, N. J. Wu, X. Chen, and A. Ignatiev, Phys. Rev. Lett., 98: 146403 (2007). Crossref
  3. R. Waser and M. Aono, Nature Materials, 6: 833 (2007). Crossref
  4. V. Krivoruchko, T. Konstantinova, A. Mazur, A. Prokhorov, and V. Varyukhin, J. Magn. Magn. Mater., 300: e122–e125 (2006). Crossref
  5. A. S. Mazur, V. N. Krivoruchko, and I. A. Danilenko, Low Temp. Phys., 33, No. 11: 931 (2007). Crossref
  6. A. N. Ulyanov, D. S. Yang, A. S. Mazur, V. N. Krivoruchko, G. G. Levchenko, I. A. Danilenko, and T. E. Konstantinova, J. Appl. Phys., 109: 123928 (2011). Crossref
  7. S. Yunoki, E. Dagotto, S. Costamagna, and J. A. Riera, Phys. Rev. B, 78: 024405 (2008). Crossref
  8. N. A. Tulina, Physics-Uspekhi, 50, No. 11: 1171 (2007). Crossref
  9. R. Gross, L. Alff, B. Büchner, B. H. Freitag, C. Höfener, J. Klein, Ya. Lu, W. Mader, J. B. Philipp, M. S. R. Rao, P. Reutler, S. Ritter, S. Thienhaus, S. Uhlenbruck, and B. Wiedenhorst, Journal of Magnetism and Magnetic Materials, 211, Iss. 1–3: 150 (2000). Crossref
  10. V. Yu. Tarenkov, A. I. D’yachenko, and V. N. Krivoruchko, JETP, 93, No. 1: 180 (2001). Crossref
  11. N. F. Mott and E. Davis, Electronic Processes in Non-Crystalline Materials (Oxford: Clarendon Press: 2012).
  12. J. Bourgoin and M. Lannoo, Point Defects in Semiconductors II. Experimental Aspects (Berlin–Heidelberg–New York: Springer: 1983), vol. 35. Crossref
  13. V. B. Fiks, Ionnaya Provodimost v Metallakh i Poluprovodnikakh (Moscow: Nauka: 1969) (in Russian).
  14. E. Burstein and S. Lundqvist, Tunnelling Phenomena in Solids (New York: Plenum Press: 1969). Crossref