Оборотні ефекти нестабільности у тунельних контактах манганіт

Оборотні ефекти нестабільности у тунельних контактах манганіт–метал

О. І. Дьяченко$^{1}$, В. Ю. Таренков$^{2}$, О. О. Болясова$^{2}$, В. М. Криворучко$^{2}$

$^{1}$Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України, бульв. Академіка Вернадського, 36, 03142 Київ, Україна
$^{2}$Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України, просп. Науки, 46, 03028 Київ, Україна

Отримано: 28.12.2017. Завантажити: PDF

В роботі досліджуються ефекти електронної нестабільности поверхні манганітів, які проявляються в нелінійних, з різким наростанням струму, вольт-амперних характеристиках контактів манганіту з нормальним металом. На прикладі контактів манганіту La$_{0,65}$Ca$_{0,35}$MnO$_3$ зі сріблом продемонстровано, що прояв цих ефектів у транспортних характеристиках спостерігається в певному інтервалі енергій. Ці нелінійності транспортних властивостей не можуть бути зумовлені тепловими ефектами і, цілком ймовірно, пов’язані зі стрибками йонів Оксиґену в області тунельного бар’єру, яких стимульовано тунельним струмом і електричним полем, прикладеним до контакту.

Ключові слова: тунельні контакти, ефекти нестабільности, манганіти, наноструктури, Оксиґенові вакансії у бар’єрі.

URL: http://mfint.imp.kiev.ua/ua/abstract/v40/i03/0291.html

PACS: 73.20.-r, 73.23.-b, 73.40.Rw, 73.63.Rt, 74.72.Hs, 74.78.Na, 75.47.Lx

ЦИТОВАНА ЛІТЕРАТУРА

P. P. Chawan and P. Gupta, International Journal of Electronics, Electrical and Computational System, 6, Iss. 5: 1L6F7M (2017).
Y. B. Nian, J. Strozier, N. J. Wu, X. Chen, and A. Ignatiev, Phys. Rev. Lett., 98: 146403 (2007). Crossref
R. Waser and M. Aono, Nature Materials, 6: 833 (2007). Crossref
V. Krivoruchko, T. Konstantinova, A. Mazur, A. Prokhorov, and V. Varyukhin, J. Magn. Magn. Mater., 300: e122–e125 (2006). Crossref
A. S. Mazur, V. N. Krivoruchko, and I. A. Danilenko, Low Temp. Phys., 33, No. 11: 931 (2007). Crossref
A. N. Ulyanov, D. S. Yang, A. S. Mazur, V. N. Krivoruchko, G. G. Levchenko, I. A. Danilenko, and T. E. Konstantinova, J. Appl. Phys., 109: 123928 (2011). Crossref
S. Yunoki, E. Dagotto, S. Costamagna, and J. A. Riera, Phys. Rev. B, 78: 024405 (2008). Crossref
N. A. Tulina, Physics-Uspekhi, 50, No. 11: 1171 (2007). Crossref
R. Gross, L. Alff, B. Büchner, B. H. Freitag, C. Höfener, J. Klein, Ya. Lu, W. Mader, J. B. Philipp, M. S. R. Rao, P. Reutler, S. Ritter, S. Thienhaus, S. Uhlenbruck, and B. Wiedenhorst, Journal of Magnetism and Magnetic Materials, 211, Iss. 1–3: 150 (2000). Crossref
V. Yu. Tarenkov, A. I. D’yachenko, and V. N. Krivoruchko, JETP, 93, No. 1: 180 (2001). Crossref
N. F. Mott and E. Davis, Electronic Processes in Non-Crystalline Materials (Oxford: Clarendon Press: 2012).
J. Bourgoin and M. Lannoo, Point Defects in Semiconductors II. Experimental Aspects (Berlin–Heidelberg–New York: Springer: 1983), vol. 35. Crossref
V. B. Fiks, Ionnaya Provodimost v Metallakh i Poluprovodnikakh (Moscow: Nauka: 1969) (in Russian).
E. Burstein and S. Lundqvist, Tunnelling Phenomena in Solids (New York: Plenum Press: 1969). Crossref