Фотопластический эффект в узкощелевых кристаллах халькогенидов ртути
Б. П. Коман$^{1}$, О. О. Балицкий$^{1}$, Д. С. Леонов$^{2}$
$^{1}$Львовский национальный университет имени Ивана Франко, ул. Университетская, 1, 79000 Львов, Украина
$^{2}$Технический центр НАН Украины, ул. Покровская, 13, 04070 Киев, Украина
Получена: 21.03.2018. Скачать: PDF
В работе рассмотрены особенности фотопластического эффекта (ФПЭ), наблюдаемого в узкощелевых ($E_g \cong$ 0,2 эВ) кристаллах халькогенидов ртути при облучении белым светом в процессе их одноосной деформации. Установлено, что облучение влияет на пластическую деформацию узкощелевых кристаллов твёрдых растворов Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te ($х$ — молярный состав). Исследованный в работе отрицательный фотопластический эффект (ОФПЭ) связан с уменьшением при облучении белым светом напряжения пластического течения в условиях пластической деформации кристалла с постоянной скоростью нагружения. Установлено, что, в отличие от широкозонных кристаллов соединений II–VI групп, проявляющих положительный ФПЭ, в кристаллах узкощелевых твёрдых растворов Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te ОФПЭ наблюдается в отсутствие внутреннего фотоэффекта. Модель, объясняющая природу ОФПЭ, основывается на установленном факте уменьшения при освещении кристалла положительного заряда в оксидном слое приповерхностной области кристалла. Этот процесс понижает потенциальный барьер для выхода на поверхность дислокаций, порождаемых приповерхностными источниками в процессе динамического нагружения. Следствием является уменьшение напряжения пластического течения кристалла.
Ключевые слова: фотопластический эффект, узкощелевые полупроводники, халькогениды ртути, дислокации, деформация.
URL: http://mfint.imp.kiev.ua/ru/abstract/v40/i04/0529.html
PACS: 61.72.Lk, 61.80.Ba, 61.82.Fk, 62.20.fq, 81.40.Lm, 81.40.Wx, 83.60.Np