Фотопластический эффект в узкощелевых кристаллах халькогенидов ртути
Б. П. Коман1, О. О. Балицкий1, Д. С. Леонов2
1Львовский национальный университет имени Ивана Франко, ул. Университетская, 1, 79000 Львов, Украина
2Технический центр НАН Украины, ул. Покровская, 13, 04070 Киев, Украина
Получена: 21.03.2018. Скачать: PDF
В работе рассмотрены особенности фотопластического эффекта (ФПЭ), наблюдаемого в узкощелевых (Eg≅ 0,2 эВ) кристаллах халькогенидов ртути при облучении белым светом в процессе их одноосной деформации. Установлено, что облучение влияет на пластическую деформацию узкощелевых кристаллов твёрдых растворов CdxHg1−xTe (х — молярный состав). Исследованный в работе отрицательный фотопластический эффект (ОФПЭ) связан с уменьшением при облучении белым светом напряжения пластического течения в условиях пластической деформации кристалла с постоянной скоростью нагружения. Установлено, что, в отличие от широкозонных кристаллов соединений II–VI групп, проявляющих положительный ФПЭ, в кристаллах узкощелевых твёрдых растворов CdxHg1−xTe ОФПЭ наблюдается в отсутствие внутреннего фотоэффекта. Модель, объясняющая природу ОФПЭ, основывается на установленном факте уменьшения при освещении кристалла положительного заряда в оксидном слое приповерхностной области кристалла. Этот процесс понижает потенциальный барьер для выхода на поверхность дислокаций, порождаемых приповерхностными источниками в процессе динамического нагружения. Следствием является уменьшение напряжения пластического течения кристалла.
Ключевые слова: фотопластический эффект, узкощелевые полупроводники, халькогениды ртути, дислокации, деформация.
URL: http://mfint.imp.kiev.ua/ru/abstract/v40/i04/0529.html
PACS: 61.72.Lk, 61.80.Ba, 61.82.Fk, 62.20.fq, 81.40.Lm, 81.40.Wx, 83.60.Np