Фотопластичний ефект у вузькощілинних кристалах халькогенідів меркурію
Б. П. Коман1, О. О. Балицький1, Д. С. Леонов2
1Львівський національний університет імені Івана Франка, вул. Університетська, 1, 79000 Львів, Україна
2Технічний центр НАН України, вул. Покровська, 13, 04070 Київ, Україна
Отримано: 21.03.2018. Завантажити: PDF
У роботі розглянуто особливості фотопластичного ефекту (ФПЕ), що виникає у вузькощілинних кристалах (Eg≅ 0,2 еВ) халькогенідів ртуті, освітлених білим світлом, у процесі їх одновісної деформації. Встановлено, що опромінення впливає на пластичну деформацію вузькощілинних кристалів твердих розчинів CdxHg1−xTe (х — молярний склад). Досліджений в роботі від’ємний фотопластичний ефект (ВФПE) пов’язаний зі зменшенням напруги пластичної плинности при опроміненні білим світлом в умовах одновісної пластичної деформації кристалу за постійної швидкости навантаження. Виявлено, що, на відміну від широкозонних кристалів сполук II–VI груп, які виявляють позитивний ФПЕ, в кристалах твердих розчинів CdxHg1−xTe ВФПE спостерігається за відсутности внутрішнього фотоефекту. Модель, що пояснює природу ВФПE, ґрунтується на встановленому факті зменшення при освітленні кристалу позитивного заряду в оксидному шарі приповерхневої области кристалу. Зменшення заряду понижує потенціяльний бар’єр для виходу на поверхню дислокацій, що породжуються приповерхневими джерелами в процесі динамічного навантаження. Наслідком є зменшення напруги плинности деформації кристалу.
Ключові слова: фотопластичний ефект, вузькощілинні напівпровідники, халькогеніди ртуті, дислокації, деформація.
URL: http://mfint.imp.kiev.ua/ua/abstract/v40/i04/0529.html
PACS: 61.72.Lk, 61.80.Ba, 61.82.Fk, 62.20.fq, 81.40.Lm, 81.40.Wx, 83.60.Np