Фотопластичний ефект у вузькощілинних кристалах халькогенідів меркурію
Б. П. Коман$^{1}$, О. О. Балицький$^{1}$, Д. С. Леонов$^{2}$
$^{1}$Львівський національний університет імені Івана Франка, вул. Університетська, 1, 79000 Львів, Україна
$^{2}$Технічний центр НАН України, вул. Покровська, 13, 04070 Київ, Україна
Отримано: 21.03.2018. Завантажити: PDF
У роботі розглянуто особливості фотопластичного ефекту (ФПЕ), що виникає у вузькощілинних кристалах ($E_g \cong$ 0,2 еВ) халькогенідів ртуті, освітлених білим світлом, у процесі їх одновісної деформації. Встановлено, що опромінення впливає на пластичну деформацію вузькощілинних кристалів твердих розчинів Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te ($х$ — молярний склад). Досліджений в роботі від’ємний фотопластичний ефект (ВФПE) пов’язаний зі зменшенням напруги пластичної плинности при опроміненні білим світлом в умовах одновісної пластичної деформації кристалу за постійної швидкости навантаження. Виявлено, що, на відміну від широкозонних кристалів сполук II–VI груп, які виявляють позитивний ФПЕ, в кристалах твердих розчинів Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te ВФПE спостерігається за відсутности внутрішнього фотоефекту. Модель, що пояснює природу ВФПE, ґрунтується на встановленому факті зменшення при освітленні кристалу позитивного заряду в оксидному шарі приповерхневої области кристалу. Зменшення заряду понижує потенціяльний бар’єр для виходу на поверхню дислокацій, що породжуються приповерхневими джерелами в процесі динамічного навантаження. Наслідком є зменшення напруги плинности деформації кристалу.
Ключові слова: фотопластичний ефект, вузькощілинні напівпровідники, халькогеніди ртуті, дислокації, деформація.
URL: http://mfint.imp.kiev.ua/ua/abstract/v40/i04/0529.html
PACS: 61.72.Lk, 61.80.Ba, 61.82.Fk, 62.20.fq, 81.40.Lm, 81.40.Wx, 83.60.Np