Исследуется структура тонких плёнок ванадия на различных монокристаллических подложках V(25 нм)/SiO$_2$(001), V(25 нм)/MgO(100), V(25 нм)/Al$_2$O$_3$(0001), V(25 нм)/SrTiO$_3$(100) в исходном состоянии и при отжиге до температуры 600°C в вакууме 10$^{-3}$ Па. С использованием синхротронного излучения (RIKEN SPring-8 Center) обнаружена преимущественная ориентация зёрен в направлении [110] для плёнки на подложке SrTiO$_3$(100) с периодом кристаллической решётки в 3,024 Å, который соответствует массивному состоянию, и размером областей когерентного рассеяния порядка 11 нм. В исходном состоянии степень окисления приповерхностных слоёв определяется дальнодействующим влиянием структуры переходного слоя на границе раздела подложка/плёнка. Эта структура зависит как от типа кристаллических решёток плёнки и подложки, так и от степени несоответствия между ними. В случае аморфной структуры переходного слоя процессы окисления тормозятся. Интенсивность начальных стадий окисления при отжиге также зависит от исходной структуры плёнок ванадия. Если формируется текстура в направлении, перпендикулярном к внешней поверхности, продольные каналы из границ зёрен и тройных стыков границ зёрен становятся доминирующими путями ускоренной диффузии кислорода. При пороговом значении температуры в 350°C начинается процесс трансформации кристаллической решётки ванадия из ОЦК в моноклинную. Обсуждается возможность формирования упорядоченного твёрдого раствора замещения атомов кислорода в решётке ванадия.