Досліджено структуру тонких плівок ванадію на різних монокристалічних підкладинках V(25 нм)/SiO$_2$(001), V(25 нм)/MgO(100), V(25 нм)/Al$_2$O$_3$(0001), V(25 нм)/SrTiO$_3$(100) у вихідному стані та при відпалі до температури у 600°C у вакуумі 10$^{-3}$ Па. Із використанням синхротронного випромінення (RIKEN SPring-8 Center) виявлено переважну орієнтацію зерен у напрямку [110] для плівки на підкладинці SrTiO$_3$(100) із періодом кристалічної ґратниці у 3,024 Å, який відповідає масивному стану, і розміром областей когерентного розсіяння порядку 11 нм. У вихідному стані ступінь окиснення приповерхневих шарів визначається далекосяжним впливом структури перехідного шару на межі поділу підкладинка/плівка. Ця структура залежить як від типу кристалічних ґратниць плівки та підкладинки, так і від ступеня невідповідности між ними. У випадку аморфної структури перехідного шару процеси окиснення гальмуються. Інтенсивність початкових стадій окиснення впродовж відпалу також залежить від вихідної структури плівок ванадію. Якщо формується текстура у напрямку, перпендикулярному до зовнішньої поверхні, повздовжні канали із меж зерен і потрійних стиків меж зерен стають домінувальними шляхами пришвидшеної дифузії Оксиґену. За порогового значення температури у 350°C розпочинається процес трансформації кристалічної ґратниці ванадію з ОЦК у моноклінну. Обговорено можливість формування впорядкованого твердого розчину заміщення атомів Оксиґену в ґратниці ванадію.