Показано удовлетворительное соответствие кривых плотностей электронных состояний, полученных экспериментально методом туннельной спектроскопии и рассчитанных в рамках теории функционала плотности (ТФП). Ширина запрещенной зоны атомарно чистой поверхности монокристалла InSe (0001, измеренная методом туннельной спектроскопии демонстрирует отклонение на $\sim$ 0,2 эВ от других методов измерений ($\sim$ 1,4 эВ против $\sim$ 1,2 эВ). При низких температурах наблюдается интенсивное образование поверхностных энергетических уровней Шокли. Методами высокоразрешающей сканирующей туннельной микроскопии и ТФП (Wien2k) исследованы механизмы формирования нанорельефа меди и золота на ван-дер-ваальсовых поверхностях полупроводниковых монокристаллов. Вакуумное термическое нанесение Cu и Au (без охлаждения образца и инертных газов) на поверхность монокристалла InSe (0001) при одних и тех же условиях демонстрирует различные механизмы осаждения из атомарной металлической газовой фазы. Для меди характерен мономодальный разброс размеров кластеров, в то время как в случае золота формируются монослои чешуйчатой структуры. Установлено малое влияние интерфейса на геометрию и симметрию образующихся наноструктур меди и золота. Процессы образования наноструктур меди и золота при указанных условиях плохо описываются известными механизмами роста.