Показана задовільна відповідність кривих густин електронних станів, отриманих експериментально методом тунельної спектроскопії та розрахованих в рамках теорії функціоналу густини (ТФГ). Ширина забороненої зони атомарно чистої поверхні монокристалу InSe (0001), виміряна методом тунельної спектроскопії, демонструє відхилення на $\sim$ 0,2 еВ від інших методів досліджень ($\sim$ 1,4 еВ проти $\sim$ 1,2 еВ). При низьких температурах спостерігається інтенсивне утворення поверхневих енергетичних рівнів Шоклі. Методами високороздільної сканувальної тунельної мікроскопії та ТФГ (Wien2k) досліджено механізми формування нанорельєфу міді та золота на ван-дер-ваальсових поверхнях напівпровідникових монокристалів. Вакуумне термічне нанесення Cu та Au (без охолодження зразка та інертних газів) на поверхню монокристалу InSe (0001) за одних і тих самих умов демонструє різні механізми осадження з атомарної металевої газової фази. Для міді характерним є мономодальний розкид розмірів кластерів, у той час як у випадку золота формуються моношари лускуватої структури. Встановлено малий вплив інтерфейсу на геометрію та симетрію утворюваних наноструктур міді та золота. Процеси утворення наноструктур міді та золота при вказаних умовах погано описуються відомими механізмами росту.